WNM2020-3/TR-VB_MOSFET产品应用与参数解析

WNM2020-3/TR详细参数说明 - 极性  N沟道- 额定电压  20V- 额定电流  6A- 导通电阻  24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V- 门源电压  8Vgs (±V)- 阈值电压  0.45~1Vth (V)- 封装类型  SOT23

应用简介 WNM2020-3/TR是一款N沟道 MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有适中的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制8Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，从而实现电流的控制和开关状态的转换。较低的导通电阻有助于降低功耗，提高系统效率。WNM2020-3/TR采用SOT23封装，适用于各种电路板和模块。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其适中的额定电压和额定电流特性，WNM2020-3/TR 特别适合中低功率领域的电路应用，如电源开关、电机驱动器等。总之，WNM2020-3/TR是一款N沟道 MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块。特别适用于中低功率领域的电路应用，如电源开关、电机驱动器等。