LN2312LT1G-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

**产品型号：** LN2312LT1G-VB

**丝印：** VB1240

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：N—Channel
- 最大电压：20V
- 最大电流：6A
- 导通电阻：RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压：Vth = 0.45~1V

**应用简介：**
LN2312LT1G-VB是一款N—Channel沟道的场效应管，采用SOT23封装。具有较高的电流承载能力和低导通电阻，适用于多种低压驱动应用。

**主要应用领域：**
1. **电源模块：** 用于电源开关，提供可靠的开关控制。
2. **电源管理模块：** 适用于各种电源管理电路，实现有效的电源控制。
3. **驱动模块：** 作为驱动器的一部分，用于提供稳定的电流和电压输出。

**作用：**
- 适用于低压条件下的开关控制，提供可靠的N—Channel沟道场效应管。
- 用于电源模块、电源管理模块和驱动模块，提供有效的电源控制和电流驱动。

**注意事项：**
1. 严格按照数据手册规定的电气特性和工作条件使用。
2. 封装类型为SOT23，正确安装在电路板上。
3. 确保正确定向连接，防止反接。
4. 注意阈值电压范围，以确保在正确的电压条件下工作。