### 产品简介
VBsemi的19NM65N-VB是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的门极-源极电压(VGS)。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有优异的性能和可靠性。它的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))为300mΩ(在VGS=10V时),最大漏极电流(ID)为15A。这使得19NM65N-VB非常适合中高压应用,如电源管理、电机驱动器和其他需要高性能MOSFET的领域。
### 详细参数说明
- **Package**:TO247
- **Configuration**:Single-N-Channel
- **VDS**:650V
- **VGS**:30V(±)
- **Vth**:3.5V
- **RDS(ON)**:300mΩ @ VGS=10V
- **ID**:15A
- **Technology**:SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块示例
19NM65N-VB适用于各种中高压、高性能MOSFET的应用,包括但不限于:
1. **电源管理**:由于其中高压特性,19NM65N-VB可用于开关电源、电源逆变器和电源转换器等中高压电源管理系统中,提供高效率和可靠性。
2. **电机驱动器**:在需要中高压电机驱动器的应用中,如工业机械、电动汽车等,19NM65N-VB可以实现高效的电机控制。
3. **充电桩**:在需要中高压充电桩的应用中,19NM65N-VB可用于实现高效的充电控制和管理。
4. **工业控制**:在需要控制中高压电压和电流的工业控制系统中,19NM65N-VB可以用作开关器件,实现高效的能量转换和控制。
5. **照明应用**:由于其高性能和可靠性,19NM65N-VB适用于LED照明驱动器和其他中高压照明应用。
总之,19NM65N-VB是一款功能强大、可靠性高的中高压MOSFET,适用于各种中高压应用领域和模块。