155N3H6-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 155N3H6-VB 产品简介

**产品型号**: 155N3H6-VB

**封装形式**: TO252

**配置**: 单N沟道

**主要参数**:
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 3mΩ @ VGS=4.5V
  - 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench技术

### 详细参数说明

**电特性**:
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 3mΩ @ VGS=4.5V
  - 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 120A

**温度范围**:
- **工作温度**: -55°C 至 +150°C
- **存储温度**: -55°C 至 +150°C

**封装形式**:
- **封装类型**: TO252

**技术**:
- **制造工艺**: Trench技术

### 应用领域和模块举例

1. **电源管理模块**: 
   - 用于DC-DC转换器，确保高效的电源转换和稳定的输出。
2. **电机驱动**:
   - 在电动工具和电动车中，用于控制电机的启动、停止和速度调节。
3. **计算机和服务器**:
   - 应用于主板和显卡的供电模块，提供稳定的电流供应。
4. **消费电子**:
   - 在智能手机和平板电脑中，用于电源管理和充电控制。
5. **工业控制**:
   - 用于各种工业自动化设备的控制模块，确保可靠的操作和长时间的工作寿命。
6. **汽车电子**:
   - 应用于汽车的各种电子控制单元，如发动机控制、车身控制和娱乐系统。

155N3H6-VB MOSFET 具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。其Trench技术确保了优良的导通性能和开关速度，满足了现代电子设备对低功耗和高性能的需求。