### 155N3H6-VB 产品简介
**产品型号**: 155N3H6-VB
**封装形式**: TO252
**配置**: 单N沟道
**主要参数**:
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术**: Trench技术
### 详细参数说明
**电特性**:
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 120A
**温度范围**:
- **工作温度**: -55°C 至 +150°C
- **存储温度**: -55°C 至 +150°C
**封装形式**:
- **封装类型**: TO252
**技术**:
- **制造工艺**: Trench技术
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理模块**:
- 用于DC-DC转换器,确保高效的电源转换和稳定的输出。
2. **电机驱动**:
- 在电动工具和电动车中,用于控制电机的启动、停止和速度调节。
3. **计算机和服务器**:
- 应用于主板和显卡的供电模块,提供稳定的电流供应。
4. **消费电子**:
- 在智能手机和平板电脑中,用于电源管理和充电控制。
5. **工业控制**:
- 用于各种工业自动化设备的控制模块,确保可靠的操作和长时间的工作寿命。
6. **汽车电子**:
- 应用于汽车的各种电子控制单元,如发动机控制、车身控制和娱乐系统。
155N3H6-VB MOSFET 具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。其Trench技术确保了优良的导通性能和开关速度,满足了现代电子设备对低功耗和高性能的需求。