半导体器件基础01：关于PN结的那些事（1）

说在开头

 

结束了《阻容感基础》和《信号完整性基础》两个专题的知识分享，真是非常开心，因为这给后续所有的专题打下了一个坚实的基础；啥？早已经忘记了么？不过也莫有关系的，我也忘的差不多了。我接下来将要进入《半导体器件基础》专题的知识分享。虽然在硬件设计应用中，我们将阻、容、感、二极管、三极管、MOS管、光耦等归类为分立元件或则称为无源器件，但二极管、三极管、MOS管是基于半导体材料的器件，在工作原理上与阻、容、感完全不同。我们前面已对阻容感的定义重复过很多次，知道了阻容感是基于电磁力所固有的，我们所创造的只是这个器件实体，而不是阻容感的特性。但半导体器件的正向导通反向截止（PN结）的特性是人为所创造的，而这个特性是所有半导体器件的基础，这将又是一个全新的开始。

基于麦克斯韦大师的理论，我们可以理解阻容感以及由阻容感为基本单元构成的信号完整性、电源完整性理论，但到了半导体器件，就会显得非常吃力了。我们在《从宇宙起源到阻容感》中讲到：麦克斯韦方程组是经典电磁理论的集大成者，是对电磁力的完美解析。但非常不幸的是，“半导体物理学”超出了经典电磁理论的范围，我们需要与时俱进的进入到了：量子力学领域。所以半导体器件的很多现象已不是经典电磁理论所能解释，需要用到“玄学”级别的量子力学（遇事不决，量子力学）。

那么作为硬件工程师只是使用器件，不去管器件基本单元的工作原理可以么？当然可以，如果我们只是想做一个“硬件积木工程师”：根据硬件设计流程做好自己的本职，如果出了问题就推脱不是自己的职责范围，可以完全不去管“积木”的特性和材质。

从我的角度来看，理解器件所表现出来特性的内在原因，以及不同工艺、类型器件导致不同表现的原因，是非常有必要的。我们可以根据不同的应用需求能够选择合适的器件，而且针对不同器件在不同应用下的表现有正确的预期。

针对半导体理论基础：半导体和PN结，如果只讲最浅层的知识，就不能理解半导体器件（二极管/三极管/MOSFET/晶闸管/IGBT等）的很多参数特性，但只讲“半导体材料”相关知识对于硬件工程师来说理解起来过于艰深；这次我们将由浅入深分三个层次来看半导体和PN结。这部分内容是半导体器件知识的核心与基础，只有真正理解了PN结的工作原理，才能更好的理解二极管、三极管、MOS管，IGBT以及由这些基本元件构成的大规模集成芯片。

一，半导体初步理解

半导体最近几年在国内大火，其知名度跨越了行业的鸿沟，它事实上已成为了芯片的代名词。那到底啥是半导体呢？

“半导体” = 导体的一半？我们就从名字上进行理解：顾名思义，是常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。不错，它指的就是一种材料，属于“固体材料”中的一种。

我们常用的半导体材料有：硅（Si），锗（Ge），砷化镓（GaAs），氮化镓（GaN）等；这些材料有一个共同特点：最外层轨道价电子都是4个，这样的结构可以形成特殊的晶体结构（金刚石晶格结构，金刚石也是一种半导体材料），一个原子同周边的原子形成稳固的共价键结构，每个原子周边达到8个满电子状态。

1，本征半导体

普通半导体是不能成为制作芯片原材料的，我们需要非常非常非常高纯度（99.9999999%，