Photodiode APS（3T）

光之大主宰

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分类专栏： CIS 文章标签：数码相机

于 2023-12-05 17:51:56 首次发布

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文章详细介绍了3TPhotodiodeAPS结构，包括其组成、工作原理、运行性能以及面临的挑战，如复位噪声、FPN和信号处理技术。讨论了像素尺寸对动态范围的影响，以及如何通过多次采样改善噪声和信号质量。

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Photodiode APS（3T）

Photodiode APS（3T）

Photodiode APS，也叫做3T APS，是CIS中最简单的一个。它目前没有被广泛使用，但作为更复杂的像素架构的构建块，它是非常重要的。

结构

如图2.1所示，3T像素结构中，有几个主要结构：

二极管。反向偏置的二极管用作光敏元件，主要收集光产生的电子，并将其转化为电压的形式。
复位门。复位门主要给予sense node一个电压基准RD，复位使得sense node电压为RD电压，后续可以关断复位门，sense node接收光产生的电子，降低电压，从而确定光生电对sense node电压的影响。由于一个光子产生一个电子，在这个阶段，光的强度与电压的变化量成正比，从光到sense node的系统，为一个线性系统。
源跟随器。源跟随器可以减少信号的损失，确保电压输出的稳定，减少噪声。
行选择晶体管。用于选择特定像素行进行读出。当行选择信号激活时，它允许源跟随器的输出电压传输到读出电路。

sense node浮动扩散：sense node是光生电压产生的点，也被称为浮动扩散(floating diffusion, FD)。因为它是浮动的，在早期的图像传感器中是通过扩散形成的。

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读出特定像素，需要打开行选择晶体管：当要读出特定像素时，“行选择”晶体管被打开，晶体管的导通电阻通常在几百到几千欧姆。

列负载是几μA的偏置电流，源跟随器到输出几乎没有信号幅度的损失：源跟随和行选择晶体管的输出阻抗与偏置电流串联，偏置电流的动态电阻要远大于源跟随器和行选择晶体管的输出阻抗。因此，出现在列输出端的电压几乎与源跟随的电压相同，几乎没有信号幅度的损失。可以使用更复杂的电流负载，但在大多数情况下，最简单的单晶体管负载就足够了。通过从电流镜控制栅极电压，源跟随的偏置电流可以从外部调节。
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图2.2显示一个3T像素的示例布局，对于每一个组成结构的考虑如下：

二极管：作为主要受光结构，二极管占据了整个版图的大部分面积。
复位晶体管：复位晶体管的源端也参与光电二极管的电荷收集。栅极长度尽可能小。
源跟随器：栅极长度和宽度会更大，以获得更好的噪声性能。
行选择晶体管：栅极长度尽可能小。

晶体管的源漏都是pn结，具有光敏性：
a. RD/OD连接到低阻抗电压源，光生电子很快被移除。
b. p阱没有有用的信号。
以上三者对于吸收的光来说是一个死区，造成填充因子的损失。

对于p阱不能完全吸收的穿透波长较长的光或者更高能量的x射线，光电二极管收集的部分电荷将来自p阱下方，由于反射p/p+势垒存在于背面界面。

在大型图像阵列中，每个像素上都有与p阱的触点，金属轨道用于将所有像素的p阱连接在一起并连接到传感器的外围。p阱的导电性可能不足以为远离阵列边缘的像素提供适当的衬底连接。

运行

使用SPICE作为纯电子电路，可以很容易地在仿真中研究3T像素，图2.3中的示例显示了典型3.3 V, 180 nm工艺的模型原理图和仿真信号。

晶体管M1为源跟随器，M2为复位晶体管，M3和M4构成比例为10:1的电流负载，外部电源为10 μA。为了清楚起见，省略了行选择晶体管。

M2几乎是用这种技术制造的最小的晶体管，之所以选择它，是因为它打算作为开关工作。源跟随M1较大，沟道长度为0.8 μm;这增加了它的阈值，但需要更大的栅极尺寸来降低它的噪声。一般来说，源跟随器从来都不是最小尺寸的晶体管。M4甚至更大，因为列负载晶体管之间需要良好的匹配;当晶体管具有长通道和大面积时，这更容易实现。当前镜像对M3和M4位于像素之外，服务于图2.1(b)所示的整个列。
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用电容 $C_{PD}$ (代替其耗尽电容)和理想电流源并联模拟光电二极管，代表光产生电流。输出电容 $C_L$ 用于表示整个列总线的电容。电路由连接到RD和OD的直流电压源供电。

电压源 $V_{RG}$ 对复位晶体管栅极产生1 μs、幅度3.6 V的脉冲。复位时，感测节点电压达到3.0 V左右，低于3.3 V漏极电源。复位晶体管M2没有完全打开，因为它处于亚阈值模式，我们有一个“软复位”。为了达到RD处的电压，M2必须处于线性状态，因此 $V_{RG}$ 应该高得多，这样我们就有了“硬复位”。由于体效应造成的高阈值，大约需要高于 $V_{RD}$ 的电压才能使M2完全接通。

感知节点电压由源跟随器缓冲，出现在输出端，减去M1的阈值电压。在RG脉冲的下降沿，由于M2栅极与感测节点之间的电容耦合，感测节点上的电压略有下降。这种复位耦合，也称为复位馈通偏置，随着检测节点的电容变小而增加。它可以比图2.3大得多，并且必须加以考虑，因为它降低了输出端的最大电压摆幅。一旦确定，源跟随器输出端的电压称为像素的“复位电平”。

从图2.3可以看出，源跟随器VT的阈值在0.8 V左右，计算方法为感测节点电压减去输出电压。如同M2，源跟随器M1由于体效应强，阈值较高。请记住，在实际电路中，感测节点电压不可用于探测;我们只有像素输出的版本，由源跟随器缓冲。

当光电二极管收集电子时，其电势减小。光产生的信号可以表示为PD外的电流 $I_{PD}$ ，这导致其电位根据：

$ΔV_{SN} = -\frac{1}{C_{PD}+C_{in}}\int_0^{t_{int}}I_{PD}dt\tag{2.1}$

$C_{PD}$ 是光电二极管的电容， $C_{in}$ 是MI和M2连接到感测节点的输入电容， $t_{int}$ 为电流流过的时间持续时间， $ΔV_{SN}$ 为感测节点的电压变化。在图2.3中，当前 $I_{PD}$ 在着色期间为10 nA，在着色之外为零，因此式(2.1)化简为：

$ΔV_{SN} = -\frac{I_{PD}t_{int}}{C_{PD}+C_{in}}\tag{2.2}$

在输出端测量的像素的转换增益是由一个电子在感测节点处产生的电压乘以源跟随器M1的增益:

$G_C = \frac{qG_{SF}}{C_{PD}+C_{in}}\tag{2.3}$

例2.1 计算图2.3的感测节点电容、源跟随器增益和像素模拟的转换增益。

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测量增益和SF阈值的一种实用方法是取像素的电传递函数(ETF)，如第5章的实验所示。如图2.4所示，ETF背后的思想是使用复位晶体管M2向源跟随器M1的栅极提供其RD端上的电压。为此，需要两件事:M2的漏极必须作为外部连接可访问，M2必须通过将其栅极偏置在 $V_{RD}+V_T$ 之上而在线性状态下工作。

ETF是通过从零到最大可能漏极电压扫描 $V_{RD}$ 获得的，而复位栅极RG是直流偏置的。在感应节点电压等于 $V_{RD}$ ，直到M2的栅源电压接近其阈值;在图2.4的模拟中，这种情况发生在 $V_{RD} = 2.7 V$ 时。在0.7到2.7 V的线性输出范围内，源跟随器的增益计算为 $G_{SF}=ΔV_O/ΔV_{SN}$ 。从图2.4我们也可以看到M1的阈值在0.6 V左右。

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在图2.3和2.4所示的仿真电路图中，我们使用了晶体管电流负载用于SF，尽管理想的电流吸收(设置为1 μA)会更简单。这是因为电流负载实际上用于图像传感器，但还有另一个原因-理想的电流源，作为SPICE原语，可能会导致一些“奇怪”的行为，因此必须小心使用。

让我们考虑图2.5中的仿真电路。当源跟随器的栅极电压为零时，图2.5(a)中的输出显示了期望的零电压。然而，对于相同的负载电流和零栅极电压，图2.5(b)中的SF输出将显示- 0.4 V!这看起来是非物理的，因为电路中没有负电压，但有一个完全合理的解释。理想的电流负载，是理想的，试图迫使电流通过它的端子，不管电压是多少。因此，当SF关闭时，电流在图2.5(b)中流动的唯一途径是通过M1的正偏源-衬底pn结，这使得源相对于衬底为负。这种效应在实际电路中是看不到的，因为理想的电流源并不存在，但在用它们进行模拟时可能会引起一些令人挠头的问题。

性能

3T APS结构简单，但其主要有三个缺点，动态范围不足，噪声以及

3T像素：最大输出信号是复位电平与最低输出电压之间的差值，接近于零。知道了这一点，我们就可以计算出像素可以处理的最大信号电子数。通常称为满井容量(FWC)，它是最大输出电压摆幅与转换增益之比:

$FWC=\frac{ΔV_{O_{max}}}{G_c}\tag{2.4}$

如果复位电平更高，像素可能具有更高的FWC，这可以通过更高的RD和RG电压来实现。为了实现这一点，复位漏极与最高电源电压相连。RG电压可能更高，这需要电平转换，可能并不总是实用的。另一种增加输出摆幅的方法是对源跟随使用较低的阈值(“低VT”)工艺，这是大多数代工厂提供的。通过将源连接到“热p阱”(如第1章所讨论的)中的体来消除SF中的体效应很少是一种选择，因为n阱隔离与光电二极管竞争光生电荷。

3T像素的主要特点之一是光电二极管同时是电荷收集和电荷转换元件，这是其性能不足的原因。尽管存在局限性，3T像素仍被用于需要大像素尺寸、高FWC的应用中，或者因为其简单性和较低的成本。

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复位感测节点产生热噪声，称为复位噪声，在第4章中描述。如果在信号产生之前将信号电平从之前的复位电平中减去，则可以通过一种称为相关双采样(CDS)的技术来消除它。在图2.6的典型读出方案中，一旦选择一个像素，信号电平就会出现在列输出上，然后对电压进行采样，像素复位，复位电平也可以进行采样。信号电平与先前读出的复位电平相关，因此必须为CDS减法保留先前的复位电平。这是通过读取传感器两次并将复位样本存储在内存中来完成的。这种方法并不总是实用的，当不实现时，使用来自同一读出的复位信号对。结果是读数噪声测量在几十个电子均方根(RMS)，这是对于高性能应用不可接受。即使重置电平被存储，以便执行CDS，它在其配对信号之前许多毫秒被采样，因此差异可能受到低频漂移和其他波动的影响。

除了执行有效CDS的困难之外，3T像素还受到固定模式噪声(FPN)的影响，这是一种由晶体管阈值的扩散引起的空间(而不是时间)噪声。每个像素的复位电平是不同的，因为每个源跟随器都有自己的阈值，并且像素到像素的变化可能比复位产生的电压波动大得多。FPN可以通过在相同像素寻址期间减去复位和信号电平来解决，因为它们具有相同的SF偏移量。如果信号电平只采样一次，为了降低CIS的复杂性，FPN可能是压倒性的。

如果实现多次采样，信号电平可以多次读出而不复位，也称为非破坏性读出。如果在积分过程中信号随时间线性增加，则可以使用多次采样来消除SF偏移和复位噪声，此外还可以通过平均来降低噪声。这在恒定场景照明下的低帧率应用中是可能的，被称为“上斜坡采样”，或福勒采样。

光电二极管中进行电荷收集和转换的另一个结果是最大信号电荷、转换增益和读出噪声相互连接。最大电荷和耗尽电容大约与二极管面积成正比。由于大部分像素被二极管占用，对于间距为p的正方形像素，我们可以写为 $FWC∝p^2$ 和 $C_{PD}∝p^2$ 。在具有主导复位噪声的3T像素中，噪声电压与 $\sqrt{C_{PD}}$ 成正比，因此与 $1/ p$ 成正比。由此我们可以得出结论，动态范围(DR)，定义为FWC除以读出噪声，与像素间距 $p^3$ 成正比。因此，较小的3T像素可能会遭受较差的DR。