RC吸收和单C吸收对模式VDS和后级肖特基二极管的影响？

开关电源主输出RC吸收电路和单C吸收电路对开关管VDS波形状况

RC吸收

 单C吸收

两个电路的测试开关管的VDS波形 

图1 VDS=580-600V 

图2 VDS=520V左右，

现在不知图2的的吸收电路怎么消耗热能，图2的电路我是在一个成品上看别人这样子用法。

图1确是很多开源的用法。

问：

从VDS的波形上来看,第二种优越于第一种,  从主输出的波形看第二种峰值高了30V现在问题看,能否改为第二种用法？

答：主要是对效率以及EMI的影响了。

后极一般是超快恢复或肖特基整流管.

后面高了.主要对什么有影响是续流二极管的耐压及输出电容的耐压?

是指对整流关的耐压,对输出电容应该也会有影响.

答：

RC吸收是个阻尼吸收，怎么设定RC的参数，论坛里面做过很多的讨论，我以前的帖子里有，你可以去看看，注意出现欠阻尼与过阻尼的情况，因为EMI与效率都会影响这个参数的设定。

C吸收应该可以看成一个单纯的储能元件，利用电容两端的电压不能突变的特性来抑制突变的尖峰电压。

至于那种吸收对VDS的影响大小，你可以在同一个电源上抓次级整流二极管的波形跟前面MOSFET的VDS波形对比，就明白怎么回事了

问：

单单从功耗上看，加了R，消耗能量是不是效率也低了

答：

单从理论上来说，这个电阻起阻尼的作用，是需要消耗能量的

但从整个电源系统上来说，却是不一定降低效率，因为它抑制了振荡，其他的元件的损耗小了，所以大多数的情况下都加RC吸收

答：这个要看RC的取值，如果取值合适的话，可以敲好吸收掉电压的漏感尖峰值

答：这就和初级MOS的吸收一样，只是RCD的电容够大，MOS的尖峰也可消掉，但电阻就热了。很多时候都是做一个折中，比如，效率与EMI，铁损与铜损。

答：MOS的Vds和次级肖特基的耐压在最初设计时就应该考虑的，这样后面实际测试时就不用花很大功夫来处理。

答：反激式开关电源是有此现象，图二和图一比，图二会将初级侧MOS上的Vds压得比较低，但次级侧整流二极管上的反向电压就会变高，和大家说的翘翘板一样。