磁性元件小记(一)

  • 指南针
  • 工程上,主要应用电磁的两个基本定律:全电流定律、电磁感应定律。

磁的基本现象

  • 磁性:自然界中有一类物质,如铁,镍和钴,在一定条件下能相互吸引,这种性质称为磁性。
  • 磁化:让上述那些物质具有磁性的过程。
  • 磁性物质/磁介质:能够被磁化或能被磁性物质吸引的物质。
  • 能够保持磁性的磁性物质称为永久磁铁。磁铁两端磁性最强的区域称为磁极。如果将棒状磁铁悬挂起来,磁铁的一端会指向南方,另外一头则指向北方。指向南方的一端为南极S;指向北方的一端为北极N。南极或北极不能单独存在,如果将磁铁一分为二,则变成两个各自具有南极和北极的新磁铁。
  • 如果两个磁极靠近,则在两个磁极之间产生作用力:同性相斥、异性相惜。这个作用力是在磁极周围空间传递的,这里存在磁力作用的特殊物质,称为磁场。
  • 磁场与物体的万有引力场、电荷电场一样,都具有一定的能量。其本身特性还有:
    • 磁场对载流导体或运动电荷表现作用力。
    • 载流导体在磁场中运动时要做功。
  • 形象描述磁场,把小磁针放在磁铁附近,在磁力作用下,小磁针会排成相应形状。从磁铁的N极到S极小磁针排成一条光滑的曲线,这个曲线称为磁力线,或磁感应线,或磁通线。
    在这里插入图片描述
  • 把N极指向S极方向定义为正方向。磁力线在磁铁的外部和内部都是连续的闭合曲线。曲线每一点的切线方向就是磁场方向。力线的多少代表磁场的强弱,在磁极附近,力线密集,表示磁场很强;在磁极的中心面附近,力线稀疏,表示磁场很弱。
  • 注意:磁场中并不真正存在这些实在的线条,也没有什么物理量在这些线条中流动,只是概念上形象的说明磁现象。

电流与磁场

  • 物质的磁性是由电流产生的。

  • 永久磁铁的磁性就是分子电流产生的,分子电流是磁性材料原子内的电子围绕原子核旋转和自转所形成的。电子运动形成一个个小的磁体,这些小磁体在晶格中排列在一个方向,形成一个个小的磁区域——磁畴

  • 电流和磁场是不可分割的,磁场是电流产生的,电流总是被磁场所包围。

  • 运动电荷或载流导体产生磁场。根据实验可以归纳为安培定则,即右手定则。
    在这里插入图片描述

  • 右手定则/安培定则

    • 导线:右手握住导线,大拇指指向电流流通方向,其余四指所指方向即为电流产生的磁场方向。
    • 螺管线圈:右手握住螺管,四指指向电流方向,则大拇指指向就是磁场方向。
  • 两根平行载流体导体的磁场分析

    • 给出下图
      在这里插入图片描述
    • 每根导体流过相等的电流,但方向相反,即一对连接电源到负载的导线。
    • 实现代表磁通,虚线代表磁场等位面的截面图。
    • 每根导线有独立的磁场,磁场是对称的,并从导线中心向外径向辐射开,磁场的强度随着离导体距离的增加而减小。
    • 因为产生场的电流方向相反,两个场数值是相等的,但是极性相反。两个场叠加在一起,在导线之间区域相互增强,能量最大;在导线周围的其他地方,特别是远离两导线的外侧磁场强度相反,且近乎相等而趋向抵消。
  • 空心线圈磁场分析

    • 给出下图所示
      在这里插入图片描述
    • 每根导线单个场在线圈内叠加产生高度集中和线条流畅的场。
    • 在线圈外边,场是发散的,且很弱。
    • 虽然存储的能量密度在线圈内很高,在线圈以外的弱磁场中,还存储相当大的能量,因为体积扩展到无限大。
  • 注意:磁场不能被“绝缘”物体与它周围隔离开,磁“绝缘”是不存在的。但是,磁场可以被短路。如果将空心线圈放到一个铁盒子中,盒子提供磁通返回的路径,盒子将线圈和外边屏蔽开来。

磁的单位与电磁基本定律

磁感应强度

  • 为了测量磁场的强弱,可以通过电磁之间作用力来定义。用单位长度的导线,放在均匀的磁场中,通过单位电流所受到的力的大小表示磁场的强弱——磁感应强度 B ˙ \dot{B} B˙。定义关系如下 B ˙ = F ˙ I l \dot{B}=\frac{\dot{F}}{Il} B˙=IlF˙
  • 磁感应强度表示磁场内某点磁场的强度和方向的物理量。
  • B ˙ \dot{B} B˙是矢量。力 F ˙ \dot{F} F˙,电流 I I I(在导线 l l l内流通)和磁感应强度 B ˙ \dot{B} B˙三者之间是正交关系,通常用左手定则确定。
  • 左手定则:伸开手指,四手指指向电流方向,大拇指指向力的方向,则磁场指向手心。如果磁场中各点的磁感应强度是相同的且方向相同,则此磁场是均匀磁场。
    在这里插入图片描述
  • 单位问题, B ˙ \dot{B} B˙在国际单位制(SI)中是特斯拉,简称特,代号T。在电磁单位制(CGS)中为高斯,简称高,代号Gs。关系为 1 T = 1 0 4 G s 1T=10^4Gs 1T=104Gs

磁通

  • 垂直通过一个截面的磁力线总量称为该截面的磁通量,简称磁通。
    在这里插入图片描述
  • 磁通用 ϕ \phi ϕ表示,通常磁场方向和大小在一个截面上并不相同,则通过该截面积 A A A的磁通量用面积分求得:
    在这里插入图片描述
    • d ϕ d\phi dϕ:通过单元 d A ˙ d\dot{A} dA˙截面积的磁通;
    • α \alpha α:截面的法线与 B ˙ \dot{B} B˙的夹角。
  • 在一般磁芯变压器和电感中,给定结构磁芯截面上,或端面积相等的气隙端面间的磁场 B ˙ \dot{B} B˙基本上是均匀的,则磁通可以表示为: ϕ = B A \phi =BA ϕ=BA
  • 磁通是一个标量,单位在SI制中为韦伯,简称韦,代号Wb,可有 B B B A A A的单位导出: 1 ( W b ) = 1 ( T ) × 1 ( m 2 ) 1(Wb)=1(T)×1(m^2) 1(Wb)=1(T)×1(m2)在CGS单位制中磁通单位为麦克斯韦,简称麦,代号Mx,关系: 1 M x = 1 G s × 1 c m 2 1Mx=1Gs×1cm^2 1Mx=1Gs×1cm2可推出: 1 M x = 1 0 − 8 W b 1Mx=10^{-8}Wb 1Mx=108Wb
  • 在均匀磁场中,磁感应强度可以表示为单位面积上的磁通,由等式可得: B = ϕ A B=\frac{\phi}{A} B=Aϕ 所以磁感应强度也可以称为磁通密度,可见: 1 G s = 1 0 − 4 W b / m 2 = 1 0 − 8 W b / c m 2 1Gs=10^{-4}Wb/m^2=10^{-8}Wb/cm^2 1Gs=104Wb/m2=108Wb/cm2
  • 因为磁力线是无头无尾的闭合线,所以,对于磁场内任意闭合曲面,进入该曲面的磁力线应当和穿出该曲面的力线数相等,即穿过闭合曲面磁通总和为0,这称为高斯定理。

磁导率和磁场强度

磁导率( μ \mu μ

  • 电流产生磁场,但电流在不同的介质中产生的磁感应强度是不同的。
  • 在相同条件下,铁磁介质中所产生的磁感应强度比空气介质中大得多。为了表征这种特性,将不同的磁介质用一个系数 μ \mu μ来表示, μ \mu μ称为磁导率,表征物质的导磁能力。在介质中, μ \mu μ越大,介质中磁感应强度 B B B就越大。
  • 真空中的磁导率一般用 μ 0 \mu_0 μ0表示。空气、铜、铝和绝缘材料等非磁材料和真空磁导率大致相同。而铁、镍、钴等铁磁材料及其合金的磁导率都比 μ 0 \mu_0 μ0大10~105倍。
  • 起初,将真空磁导率 μ 0 \mu_0 μ0定义为1,其他材料的磁导率实际上是真空磁导率的倍数。沿用了很长时间,且影响了一些基本关系式的表达,就是公式中常出现的4π,这就是非合理化单位制(CGS)的来由。近代物理经过测试,实际真空磁导率为 μ 0 = 4 π × 1 0 − 7 H / m \mu_0=4π×10^{-7}H/m μ0=4π×107H/m 。因此其他材料的实际磁导率应当是原先磁导率乘以 μ 0 \mu_0 μ0,因为在 μ 0 \mu_0 μ0包含了4π,这样在所有表达式中没有了讨厌的4π,形成了合理化单位制(MKS制)。将其他材料磁导率高于真空磁导率的倍数称为相对磁导率 μ r \mu_r μr

磁场强度( H ˙ \dot{H} H˙

  • 用磁导率表征介质对磁场的影响后,磁感应 B ˙ \dot{B} B˙ μ \mu μ的比值只有与产生磁场的电流有关。即在任何介质中,磁场中某点的 B ˙ \dot{B} B˙与该点的 μ \mu μ的比值,定义为该点的磁场强度 H ˙ \dot{H} H˙,即 H ˙ = B ˙ μ \dot{H}=\frac{\dot{B}}{\mu} H˙=μB˙ H ˙ \dot{H} H˙也是矢量,其方向与 B ˙ \dot{B} B˙相同。
  • 所谓某点磁场强度大小,并不代表该点磁场的强弱,代表磁场强弱是磁感应强度 B ˙ \dot{B} B˙。比较确切地说,矢量 H ˙ \dot{H} H˙应当是外加的磁化强度。

安培环路定律

  • 安培环路定律/全电流定律:安培发现在电流产生的磁场中,矢量 H ˙ \dot{H} H˙沿任意闭合曲线的积分等于此闭合曲线所包围的所有电流的代数和。
    在这里插入图片描述
  • H ˙ \dot{H} H˙—磁场中某点A处的磁场强度; d l ˙ d\dot{l} dl˙—磁场中A点附近沿曲线微距离矢量; α \alpha α H ˙ \dot{H} H˙ d l ˙ d\dot{l} dl˙之间的夹角。 Σ I \Sigma I ΣI—闭合曲线所包围的电流代数和。
    在这里插入图片描述
  • 电流方向和磁场方向的关系符合右螺旋定则。如果闭合回线方向与电流产生的磁场方向相同,则为正,反之为负。
  • 图1-6(a)中环路包围只有 I I I,所以 Σ I = I \Sigma I=I ΣI=I;图1-6(b)中环路包围的是正的 I 1 I_1 I1和负的 I 2 I_2 I2,则 Σ I = I 1 − I 2 \Sigma I=I_1-I_2 ΣI=I1I2 I 3 I_3 I3不在环路之内。
  • 举例——环形线圈,环内的介质是均匀的,线圈匝数为 N N N,取磁力线方向作为闭合曲线方向,沿着以 r r r为半径的圆周闭合路径 l l l
    在这里插入图片描述
  • 可得等式 ∮ H ˙ d l ˙ = H l = 2 π r × H = Σ I = I × N \oint\dot{H}d\dot{l}=Hl=2πr×H=\Sigma I=I×N H˙dl˙=Hl=2πr×H=ΣI=I×N H = I × N 2 π r = I × N l H=\frac{I×N}{2πr}=\frac{I×N}{l} H=2πrI×N=lI×N
  • r r r—环内的平均半径,如果环的内径与外径之比接近1,认为环内磁场是均匀的, l = 2 π r l=2πr l=2πr为磁路的平均长度。
  • H—半径 r r r处的磁场强度,如果内外径相差较大,可以用下式计算平均长度 l = 2 π ( r 2 − r 1 ) l n r 2 r 1 l=\frac{2π(r_2-r_1)}{ln\frac{r_2}{r_1}} l=lnr1r22π(r2r1)

电磁感应定律

  • 如果一个条形磁铁插向线圈时,接在线圈两端的电流表指针将发生偏转;如果磁铁不动,则电流表指针不转动;如果将磁铁从线圈中取出,电流表指针与插入时相反方向偏转。
    在这里插入图片描述
  • 由此可见,当通过线圈的磁通发生变化时,无论什么原因引起的变化,在线圈两端就要产生感应电动势。且磁通变换越快,感应电动势越大,即感应电动势的大小正比于磁通的变化率,对于1匝线圈,即 e = ∣ Δ ϕ Δ t ∣ e=|\frac{\Delta \phi }{\Delta t}| e=ΔtΔϕ 如果是N匝线圈,每匝的磁通变化如果相同,则 e = N ∣ Δ ϕ Δ t ∣ = ∣ Δ ( N ϕ ) Δ t ∣ = ∣ Δ ψ Δ t ∣ e=N|\frac{\Delta \phi }{\Delta t}|=|\frac{\Delta(N\phi) }{\Delta t}|=|\frac{\Delta\psi }{\Delta t}| e=NΔtΔϕ=ΔtΔ(Nϕ)=ΔtΔψ
  • ψ = N ϕ \psi=N\phi ψ=Nϕ是各线圈匝链的总磁通,称为磁链。由上式可见,磁通单位韦伯,也就是伏秒。即单匝线圈匝链的磁通在1s内变化1Wb时,线圈电压为1V。
  • 上面提到的就是法拉第定律。但法拉第定律只说明感应电动势与磁通变化率之间的关系,并没有说明感应电动势的方向。
  • 楞次阐明了变化磁通与感应电流所产生的磁通总是阻止磁通的变化。即当磁通增加时,感应电流所产生的磁通与原来磁通方向相反消弱原磁通的增长;当磁通减小时,感应电流所产生的磁通与原来的磁通方向相同,阻止原磁通减小。感生电流总是试图维持原磁通不变。 这就是楞次定律。
  • 习惯上,规定感应电动势的正方向与感生电流产生的磁通的正方向符合右螺旋定则,则 e = − N d ϕ d t = − d ψ d t e=-N\frac{d\phi}{dt}=-\frac{d\psi}{dt} e=Ndtdϕ=dtdψ
  • 法拉第定律与楞次定律总称为电磁感应定律。

电磁能量关系

  • 考察图1-9中所示电磁能量关系,假设环的外经 D D D与内径 d d d之比接近1,磁路的平均长度为 l = π ( D + d ) / 2 l=π(D+d)/2 l=π(D+d)/2,线圈电流在环的截面 A A A内产生的磁场是均匀的。环的磁导率 μ \mu μ为常数。当电压 u u u加入线圈输入端,在线圈中产生电流,引起磁芯中磁场变换。
    在这里插入图片描述
  • 根据电磁感应定律,有 u = − e = − N d ϕ d t = − N A d B d t u=-e=-N\frac{d\phi}{dt}=-NA\frac{dB}{dt} u=e=Ndtdϕ=NAdtdB 线圈中磁通增长,相应的磁化电流 i = H l N i=\frac{Hl}{N} i=NHl 电路输入到磁场的能量 W e W_e We W e = ∫ 0 t i u d t = ∫ 0 t H l N N A d B d t d t = ∫ 0 B A l H d B = V ∫ 0 B H d B W_e=\int_{0}^{t}iudt=\int_{0}^{t}\frac{Hl}{N}NA\frac{dB}{dt}dt=\int_{0}^{B}AlHdB=V\int_{0}^{B}HdB We=0tiudt=0tNHlNAdtdBdt=0BAlHdB=V0BHdB 式中 V = A l V=Al V=Al,磁场的体积。上式左边是电源提供给磁场的能量 W e W_e We,右边是磁场存储的能量 W m W_m Wm,因为 μ \mu μ为常数,则 B = μ H B=\mu H B=μH,则存储在磁场中能量为 W m = V ∫ 0 B B μ d B = V B 2 2 μ = B H 2 V = μ V H 2 2 W_m=V\int_{0}^{B}\frac{B}{\mu}dB =V\frac{B^2}{2\mu}=\frac{BH}{2}V=\frac{\mu VH^2}{2} Wm=V0BμBdB=V2μB2=2BHV=2μVH2
  • 由上述等式可知,在磁导率为常数的磁场中,单位体积磁场能量是磁场强度与磁感应强度乘积的1/2.
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