LDMOS与VDMOS概述

最新推荐文章于 2025-05-08 21:14:38 发布
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分类专栏： 半导体器件基础 文章标签： 器件学习
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低压LDMOS电学特性
Srambler的博客
06-05 2743
一种带有NBL的N型低压LDMOS多元胞结构图： 简化结构及有限元仿真网格： a) 击穿电压仿真结果（BV=29V）： 电势（pink）电流（blank）分布：
模拟电路设计（9）--- VMOSFET
diudiulala的博客
09-02 4814
模拟电路设计（9）--- VMOSFET
功率器件概述
07-25
涉及功率器件各个方面，MOS、IGBT的工作机理与历史回顾
射频LDMOS市场展望：5G时代的核心竞争力
GAGM02的博客
06-15 479
企业必须持续创新，采用先进技术提升产品性能，同时紧跟行业趋势，加强研发能力，优化供应链管理，并积极适应全球市场的变化，以保持在激烈的市场竞争中的领先地位。本报告基于恒州诚思研究，深入探讨了市场需求、竞争格局、技术创新、投资机遇及未来趋势，旨在为相关企业和投资者提供全面的行业洞见。政府对5G部署和物联网的支持政策，以及对半导体行业的扶持政策，对射频LDMOS行业的发展产生了积极的影响。射频LDMOS产品包括功率放大器、开关和控制器等，这些产品广泛应用于移动通信基站、雷达系统、卫星通信和广播电视传输。
功率半导体器件(LDMOS_VDMOS)技术资料 - 综合文档
gitblog_06665的博客
10-29 1037
功率半导体器件(LDMOS_VDMOS)技术资料 - 综合文档 【下载地址】功率半导体器件LDMOS_VDMOS技术资料-综合文档分享 功率半导体器件在现代电子工程中扮演着核心角色，特别是在高压、大电流的应用场景下，如电源管理、电动车驱动、工业控制及电力变换器等领域。LDMOS以其在高频应用中的高效性能而闻名，适用于射频...
LDMOS简介
Ammon_Zhang的博客
11-01 1万+
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶
功率半导体器件(LDMOS_VDMOS)的技术资料-综合文档
05-21
功率半导体器件(LDMOS_VDMOS)的技术资料
射频功放中的LDMOS温补电路
weixin_43141606的博客
07-16 2371
有些参考NXP的AN1643文档 RF LDMOS Power Modules for GSM Base Station Application: Optimum Biasing Circuit 百度文档：https://wenku.baidu.com/view/3e3c44ea551810a6f5248637.html 1、晶体管为什么要温度补偿 一般在静态时，输入不加功率时，需要把LDMOS的静态漏级电流调到设计值；而LDMOS在工作时，会发热，使晶体管温度升高，从而漏级静态电流会偏移设计值。如
LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计
08-12
针对LDMOS宽带功率放大器匹配电路设计， 提出了一种快速、有效的方法。采用多节并联导纳匹配法得出宽带匹配电路的初始值后， 利用ADS软件对匹配网络的S参数进行优化。
LDMOS ESD破坏故障研究
02-11
功率LDCMOS ESD破坏故障分析之研究。三种scr结构esd。
功率集成电路课件详解与功率器件技术要点
- **VDMOS（垂直双扩散金属氧化物半导体）**：具备高输入阻抗、快速开关和低导通电阻的特点，广泛用于高频率、中等功率的应用场合。 - **IGBT（绝缘栅双极型晶体管）**：结合了MOSFET和BJT的优点，具有低饱和压降和...
LDMOS功率放大器的温补电路设计.pdf
07-23
LDMOS管是专为射频功率放大器设计的改进型n沟道M0SFET，常工作在AB类，在工作点附近具有正的温度特性， 即在一定的栅压下，当工作温度升高时，其静态电流IDo升高；当工作温度降低时，IDo降低。一般地，当LDMOS管热沉温度从20~C升高到100~C时，其静态工作电流ID0变化140％；当温度降低至01Z时，变化量也有30％。ID0变化会影响系统的增益、效率和线性等指标，其中又以线性影响最大。因此，在工作中维持功率管(特别是大功率管)I。Q恒定，是功放板设计的关键点之一。
DEMOS和LDMOS的区别
qq_45263682的博客
11-08 1万+
DEMOS和LDMOS区别
半导体器件基础08：MOS管结构和原理（1）
WKEZHENG的博客
03-23 5651
我们在数字电路中，使用MOS管远多于三极管（BJT），包括大部分芯片的驱动电平也是CMOS/LVCMOS（MOS管结构），MOS管到底是怎样的结构？相对于三极管的好处在哪里？我觉得，MOS管比三极管更像是一个“理想开关”；我们需要的就是一个“可控开关”，控制简单、响应速度快、损耗小......，柏拉图的“理念论”指引着我们又更近了一步。
分离栅VDMOS
Srambler的博客
09-07 3068
分离栅VDMOS是在传统沟槽栅VDMOS的基础上将栅极分为两段，底部的栅极和源极接相同电位，从而屏蔽了部分栅漏间的电容。该结构有助于减小Miller电容，提高器件的开关速度。
某BCD工艺剖析
热门推荐
长河柱天的博客
07-24 2万+
1、BCD工艺以隔离严谨著称。以常规NMOS管为例，design manual上，每一个MOS管都被一圈在P埋层之上的PWELL隔离环构成，但是在版图绘制中并不体现P埋层（PBL），而是只画出PWELL，这是因为该BCD工艺默认做在P埋层之上；同时为了做金属接触，用active和注入区（PP）来定义P+区，在P+区上用通孔CT连接金属。 2、在自对准工艺下，有源区active和扩散区（或者注入区
LDMOS和DEMOS的区别
最新发布
qq_41454725的博客
05-08 950
LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）和DEMOS（漏极扩展金属氧化物半导体）是两种常见的功率半导体器件。LDMOS采用横向双扩散结构，通过两次不同浓度的注入形成P-body区，其漂移区设计可提高击穿电压，适用于高频、大功率场景如射频功率放大器和通信系统。DEMOS则通过轻掺杂的漂移区延伸漏极和源极，形成耐压区，适用于模拟电路、电源管理等低频高压场景。LDMOS具有较低的导通电阻和较高的阈值电压，而DEMOS的导通电阻较高，但沟道长度可调，灵活性较强。两者在热管理和应用场景上各有优劣，LDMOS通过场极板优
什么是VMOS功率场效应管，工作原理是什么
shendeguang的专栏
02-22 1万+
VMOS功率场管的外形和内部结构示意图如图1所示，图1(b)为P沟道VMOS管栅极做成V形槽状，使得栅极表面和氧化膜表面的面积较大，有利于大电流控制，栅极仍然与漏、源极是绝缘的，因此VMOS管也是绝缘栅场效应管。漏极D从芯片上引出。与MOS管比较，—是源极与两极的面积大，二是垂直导电(Mos管是沿表面水平导电)，二者决定了VMOS管的漏极电流ID比MOS管大。电流ID的流向为：从重掺杂M+型区源极
LDMOS和VDMOS的区别
04-26
### LDMOS与VDMOS的区别对比 #### 工作原理 LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管）的工作方式主要是基于水平方向上的载流子流动。其源极和漏极位于同一平面内，电流沿横向流动[^2]。相比之下，VDMOS（垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管）采用的是垂直结构设计，其中电流从衬底的一侧流入并从另一侧流出。这种垂直架构使得VDMOS能够实现更高的面积效率以及更低的导通电阻[^1]。 #### 结构差异 在制造工艺方面，Planar VDMOS需要额外的背面处理过程来完成最终的产品形态，这增加了生产复杂度和技术难度[^1]。然而，它的正面制程可以很好地匹配标准CMOS技术流程，从而保留了一定的成本优势。另一方面，LDMOS不需要复杂的背端加工步骤即可满足基本功能需求，简化了整体生产工艺链路。 #### 性能特点 就具体性能而言，由于VDMOS采用了纵向传导路径的设计理念，在单位芯片面积内的有效利用程度更高，理论上可以获得更优的Rds(on)(即开启状态下的动态阻抗参数)。与此同时，因为沟道并非完全平行于硅片表层分布，所以在一定程度上缓解了短沟道效应对器件特性的影响。而对于LDMOS来说，则可能面临更大的寄生电容问题，进而影响高频操作表现[^2]。 #### 应用场景 鉴于各自独特的物理特性和工程考量因素，这两种类型的MOSFET往往适用于不同的实际用途领域之中。例如，在射频功率放大器或者高压开关电源转换模块里，人们通常倾向于选用具备良好散热能力和较低损耗特征的VDMOS元件；而在某些低功耗便携设备内部，则可能会更多地依赖相对简单的LDMOS解决方案以降低系统集成成本。 ```python # 示例代码展示如何计算理想条件下的导通电阻 def calculate_rds_on(w, l, mu_n, cox): """ 计算理想的MOSFET导通电阻 (忽略其他次要因素) 参数: w -- 沟道宽度 (米) l -- 沟道长度 (米) mu_n -- 载流子迁移率 (m^2/V·s) cox -- 单位面积栅氧电容 (法拉/平方米) 返回值: rds_on -- 导通电阻 (欧姆) """ return 1 / ((w/l)*mu_n*cox) print(calculate_rds_on(0.001, 0.0001, 0.65, 3e-8)) ```
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