RF走线下层挖空 会增加寄生电容?

问题:

在维持RF走线50奥姆不变情况下，请问下层挖空
会使RF讯号走线与GND plane之间的寄生电容，变大还变小? 为什么?

回答: 不一定。

以下图Stack-up为例，8层板，3-2-3

假设走线走Top层，L2当GND，计算结果 :

假设走线走Top层，L3当GND，计算结果 :

依照电容公式:

我们用单位长度计算表面积，亦即L = 1，所以寄生电容公式可写成 :

所以现在得知 寄生电容 取决于线宽 以及与GND Plane间距
这两个变量决定

故将计算结果，带入上式:

未挖空 :

挖空 :

由计算可知，挖空后
寄生电容反而是变大的。
所以未必挖空就一定会让寄生电容变小

原因是因为
虽然讯号走线与GND之间的距离拉大了，
但同时线宽也拓宽了(维持50奥姆情况下)

所以挖空后寄生电容不一定变大或变小，要透过计算才知道。