tsmc 7nm工艺下用做syncCell的stdCell介绍

最新推荐文章于 2025-03-31 10:26:00 发布

cy413026

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分类专栏： soc 文章标签： stdCell syncCell

本文链接：https://blog.csdn.net/cy413026/article/details/128409364

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本文介绍了TSMC 7nm工艺下的三种stdsyncCell：SDFSYNC1RPQD、SDFSYNC1SNQD和SDFSYNC1QD，分别针对不同的复位功能。讲解了SN、RP的区别，以及ULVT版本的实际应用实例。重点在于理解不同类型的同步寄存器及其在设计中的选择。

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tsmc 7nm工艺下有专门的std syncCell 命名如下：

SDFSYNC1RPQD1xxxxxVT

SDFSYNC1SNQD1xxxxxVT

SDFSYNC1QD1xxxxxVT

不考虑VT，PWR，和track，电压等差别，整个工艺库下只有这三种

实际在项目中syncCell一版直接上ULVT，既然是SDF，就是带Scan的DFF，SN(set negative)是低置位，RP(reset positive)是高复位.既没有SN也没有RP的就是无复位寄存器。

进一步解释

低置位：复位信号为0有效，复位值置位为1；对应的复位端pinName为SDN (set data negative)

高复位：复位信号1有效，复位值为0；对应的复位端pinName为CD (clear data)

无复位：没有复位和置位信号，上电Q输出不可知。

其实例化如下：

SDFSYNC1RPQD1xxxxxULVT UI_sync(.D(d), .SI(1'b0), .SE(1'b0), .CP(CLK), .CD(~rst_n), .Q(q));
SDFSYNC1SNQD1xxxxxULVT UI_sync(.D(d), .SI(1'b0), .SE(1'b0), .CP(CLK), .SDN(rst_n), .Q(q));
SDFSYNC1QD1xxxxxULVT UI_sync(.D(d), .SI(1'b0), .SE(1'b0), .CP(CLK), .Q(q));