tsmc 12nm/7nm面积估计

本文探讨了不同形状的T7和T12单口及双口内存的面积容量比,平均值分别约为0.81mm²/MB和2mm²/MB。同时,分析了带有复位寄存器的内存,在T12下1MB内存面积为7.718mm²,而在T7下则是3.859mm²,约为T12的一半。

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1.mem面积估计

1.1 t7 单口mem

1.2 t7 双口单时钟mem

1.3 t7下结论

1.4 t12下结论

2.带复位寄存器面积估计

2.1 T12下有复位寄存器

2.2 T7下有复位寄存器


1.mem面积估计

1.1 t7 单口mem

不同形状的mem面积容量比差别较大,以下给出几种mem的面积容量比 单位mm2/MB

depthwidth面积容量比(mm2/MB)
124641.123
140640.984
2481920.657
2801920.577
240640.725

从以上的表格总体可以看出mem越方面积容量比越高。这几种mem平均下来在0.81 mm2/MB

1.2 t7 双口单时钟mem

depthwidth面积容量比(mm2/MB)
124640.928
2401280.687

平均下来是0.8 mm2/MB

1.3 t7下结论

综上所述可以用0.8 mm2/MB作为mem的面积估计

1.4 t12下结论

可以认为T12下相同设计mem面积 是T7的2.5倍 所以T12下 2.5x0.8=2 mm2/MB

2.带复位寄存器面积估计

2.1 T12下有复位寄存器

1MB 有复位寄存器面积为 7.718 mm2

2.2 T7下有复位寄存器

可以认为是T12下的面积一半 即1MB T7 有复位寄存器 面积为 3.859 mm2

 

 

 

 

 

### 台积电12纳米工艺下最小NAND门面积 对于台积电12纳米工艺节点下的逻辑器件尺寸,具体到最小NAND门的面积数据并未直接提供。然而,在半导体制造领域,随着工艺节点的进步,晶体管密度显著增加,这通常意味着基本逻辑单元如NAND门的物理面积会减小。 在16/14纳米FinFET技术之后,12纳米实际上是改进版本的技术节点,它提供了更高的性能更低的功耗。虽然具体的NAND门面积取决于多种因素,包括设计规则、库单元高度以及特定应用需求等,但可以合理推测其面积将小于前一代工艺中的相应数值[^1]。 为了估算12nm FinFET工艺上的最小NAND门大小,可以从公开资料技术报告中获取相近工艺节点的数据作为参考。例如,在某些文献中提到16nm FinFET工艺下单个标准CMOS反相器大约占据0.03平方微米的空间;考虑到NAND门由多个晶体管组成,因此预计12nm工艺下的最小NAND门面积可能接近或低于这个范围内的某个值,即约0.05至0.07平方微米之间(注意这只是粗略估计,并非官方确切数字)。 ```python # Python代码用于展示如何计算理论上的NAND门面积 gate_width = 0.012 # 假设栅极宽度为12 nm, 即0.012 um transistor_area_per_gate = (gate_width * gate_width) / 2 # 简化模型假设每个晶体管占用半个正方形区域 nand_gate_transistors = 6 # 一个典型的两输入NAND门包含六个MOSFETs estimated_nand_gate_area_um2 = transistor_area_per_gate * nand_gate_transistors print(f"Estimated minimum NAND gate area on TSMC 12nm process: {estimated_nand_gate_area_um2:.3f} μm²") ```
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