CMOS门电路工作原理与构成的反相器详细分析

MOS管复习

N沟道增强型

1.不导通的情况：在漏极和源极之间加上电压 v DS，令栅极和源极之间的电压 v GS=0，此时漏极（D)和源极(S)之间相当于两个PN结背向连接。

2.N沟道增强型：存在 v GS，且 v GS大于某个电压 v GS（th)（必须加入足够高的栅极电压才有导电沟道形成），形成D-S导电沟道，则 i D流通。
随着 v GS增大——导电沟道截面积也增大—— i D 增大

共源接法

以栅极G-源极S间为输入回路，以漏极D-源极S为输出回路。
第一个点：栅极G和衬底之间有SiO2隔离，加上电压 v GS以后，不会有栅极电流流通，也就是无输入特性曲线。
输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响。
输出特性：
iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线 。

截止区：VGS<VGS(th)，iD = 0, R OFF > 10^9Ω
恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大（虚线右侧）

可变电阻区（虚线左侧）：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时，V DS / i D为常数，这个电阻受VGS 控制、可变。

P沟道增强型

1.不导通的情况：令栅极和源极之间的电压 v GS=0，此时不存在导电沟道。
2.导通：在栅极加足够的负电压时，才能把N型衬底的少数载流子——空穴吸引到栅极下面，形成p型的导电沟道。
需要V GS为负值


由这个MOS开关电路来看：
v1=0，MOS 管不导通，输出低电平V OL，R D远小于MOS的截止内阻R OFF时，V OL约等于-V DD
v1<V GS(th),MOS管导通，输出为高电平，V OH 约等于0

N、P沟道耗尽型

在这里不予列图详细介绍，后面所用大多为增强型。
耗尽型原理即为在V GS =0时就已经存在导电沟道了。

MOS管的基本开关等效电路

前面在介绍P沟道增强型已经介绍了P沟道增强型的开关等效电路。
下面来介绍N沟道增强型的开关等效电路。原理一致。


也可等效为以下电路：

CMOS反相器

C代表complementary，意思是将2个MOS管联合起来。
T1为P型，T2为N型

先来总体看一下它的反相作用：
v1=0：

v1=v OH=v DD:

可见，输入与输出是逻辑非的关系，由于静态下无论输入是高电平还是低电平，T1和T2总有一个是截止的，且截止内阻又极高，则流过T1和T2的静态电流极小，则CMOS反相器的静态功耗极小。

电压电流传输特性

1.电压传输特性

转折区中点对应的电压称为阈值电压（V TH）
难以理解的时候看两者的输出关系曲线。N沟道曲线位于上方，P沟道曲线位于下方。

2.电流输出特性

因为栅极电流近似为0，对我们电路分析主要起作用的还是漏极电流 i D。
这张图我们可以对应着电压传输特性来看。
AB、CD段均有一个MOS管截止，所以内阻非常高，漏极电流近似为0.
关注BC段，两个管子同时导通，有电流 iD流过两个管子，且在阈值电压1/2V DD处最大。
这点特性我们需要考虑到它的功耗，如果长期工作在BC段可能造成元器件的损坏。

输入端噪声容限

它的意思是输入会有一个波动，而我们的输出的高低电平需要基本保持不变。
所以在此情况下允许输入信号的高低电平有一个波动范围，这个范围就称为输入端的噪声容限。

输入高电平时：有一个最低输入电平V IH min
输入低电平时：有一个最高输入电平V IL max

测试结果表明， 在输出高、低电平的变化不大于限定的10 ％ VDD 情况下， 输人信号高、低电平允许的变化量约为30 ％ VDD 。因此得到
V NH=V NL约等于30 ％V DD 。
可见,CMOS 电路的噪声容限大小是和V DD有关的。V DD越高， 噪声容限越大。

图一中可以看出不同V DD下的电压传输特性
图二中可以看出不同V DD下的V NH、V NL变化关系。

CMOS反相器的静态输入特性和输出特性

输入特性

反相器输入电流和电压的关系。
我们通常会在CMOS反相器前加入保护电路，这是因为MOS管的衬底和栅极间的绝缘介质非常薄，容易被击穿。

若二极管的正向导通压降为VDF ， 则v1>VDD+VDF 后时， D1 导通， 将TI 和T2 的栅极电位钳在VDD+VDF
保证加到C2上的电压不超过VDD+VDF , 而当后v1< -0.7 v 时，D2 导通， 将栅极电位钳在-VDF保证加到C1上的电压也不会超过VDD+VDF。因为多数c M ()S 集成电路使用的VDD不超过18V， 所以加到C1和C2上的电压不会超过允许的耐压极限。
保护范围在-VDF<v1<VDD+VDF

输出特性

低电平输出特性

第一组图：这时负载电流从负载电路注人T2 ， 输出电平随I OL增加而提高。
第二组图：同样的I OL——VDD增加——V GS2增加——T2导通电阻减小——分压V OL减小

高电平输出特性

这时V OH的数值等于V DD减去T1管的导通压降。随着负载电流的增加， T 1的导通压降加大，V OH下降。如前所述， 因为MOS 管的导通内阻与vGS大小有关， 所以在同样的IOH值下VDD越高， 则TI 导通时vGS1越负， 它的导通内阻越小， V OH也就下降得越少。