SIC MOSFET之UIS测试

概述

SIC（Silicon Carbide，碳化硅）是一种宽禁带半导体材料，具有优异的物理和电学特性，广泛应用于功率电子器件中。与传统硅（Si）基器件相比，SIC 器件在高温、高电压和高频率条件下表现出更高的性能和效率。

SIC 是由硅（Si）和碳（C）组成的化合物半导体材料，具有以下显著特性：

• 宽禁带宽度：

  • SIC 的禁带宽度为 3.26 eV（对于 4H-SIC），远高于硅的 1.12 eV。这使得 SIC 器件能够在更高的温度和电压下工作。

• 高击穿电场：

  • SIC 的击穿电场强度约为硅的 10 倍，使其能够承受更高的电压。

• 高热导率：

  • SIC 的热导率是硅的 3 倍，有助于更好地散热，提高器件的可靠性。

• 高电子饱和漂移速度：

  • SIC 的电子饱和漂移速度是硅的 2 倍，使其适合高频应用。

• 化学稳定性：

  • SIC 具有优异的化学稳定性和抗辐射能力，适合恶劣环境下的应用。

 

与传统硅基器件相比，SIC 器件