漏极电流,忽略长度调制效应。
I
D
=
1
2
μ
n
C
o
x
W
L
(
V
G
S
−
V
T
H
)
2
I_{D}=\frac{1}{2} \mu_{n} C_{o x} \frac{W}{L}\left(V_{G S}-V_{T H}\right)^{2}
ID=21μnCoxLW(VGS−VTH)2
V
G
S
−
V
T
H
V_{GS}-V_{TH}
VGS−VTH被称为过驱动电压( overdrive voltage),
V
o
v
V_{ov}
Vov
W
L
\frac{W}{L}
LW称为长宽比
输入微弱电压信号
V
G
S
V_{GS}
VGS,导致微弱电流变化
I
D
I_{D}
ID,的比例称为跨导
g
m
=
Δ
I
/
Δ
V
=
g_{m}=\Delta I/\Delta V=
gm=ΔI/ΔV=
∂
I
D
∂
V
G
S
∣
V
D
S
\left.\frac{\partial I_{{D}}}{\partial V_{\mathrm{GS}}}\right|_{V_{\mathrm{DS}\text { }}}
∂VGS∂ID∣∣∣VDS
=
μ
n
C
o
x
W
L
(
V
G
S
−
V
T
H
)
=\mu_{\mathrm{n}} C_{\mathrm{ox}} \frac{W}{L}\left(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}}\right)
=μnCoxLW(VGS−VTH)
如果带入 I D I_{D} ID的式子, I D = 1 2 g m ( V G S − V T H ) I_{D}= \frac{1}{2}g_{m}\left(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}}\right) ID=21gm(VGS−VTH)
g m = 2 I D V G S − V T H g_{m}=\frac {2 I_{D}} {V_{\mathrm{GS}}-V_{TH}} gm=VGS−VTH2ID
饱和区的 g m g_{m} gm值等于深三极管区 R o n R_{on} Ron倒数
压控电流源
从某种意义上来讲, g m g_{m} gm代表了器件的灵敏度:对于一个大的 g m g_{m} gm来讲, V G S V_{GS} VGS的一个微小的改变将会引起 I D I_{D} ID,产生的很大的变化。
g
m
g_{m}
gm很大,输入很小的电压就可以输出很大的电流,灵敏度很高。
g
m
g_{m}
gm与什么有关呢,根据前面两个式子,与长宽比
W
L
\frac{W}{L}
LW,过驱动电压
V
G
S
−
V
T
H
V_{GS}-V_{TH}
VGS−VTH有关
这一切都是在饱和区条件下,及 V D S > = V G S − V T H V_{DS}>=V_{GS}-V_{TH} VDS>=VGS−VTH
因为增益:
A
v
=
G
=
Δ
V
o
u
t
/
Δ
V
i
n
=
∂
V
o
u
t
∂
V
i
n
A_{v}=G=\Delta V_{out}/\Delta V_{in}=\frac{\partial V_{o u t}}{\partial V_{i n}}
Av=G=ΔVout/ΔVin=∂Vin∂Vout
所以得把电流信号转换为电压信号,利用漏极电阻
R
D
R_{D}
RD
V
D
=
V
D
D
−
I
D
R
D
V_{D}=VDD-I_{D}R_{D}
VD=VDD−IDRD
横轴
V
i
n
V_{in}
Vin,纵轴
V
o
u
t
V_{out}
Vout
V
T
H
V_{TH}
VTH是定值
,
V
i
n
,V_{in}
,Vin也就是
V
G
V_{G}
VG从0开始,那么过驱动电压
V
G
S
−
V
T
H
V_{GS}-V_{TH}
VGS−VTH 从负数到0,最后等于
V
D
D
V_{DD}
VDD,开始导通MOS管,
根据
I
D
I_{D}
ID的公式,所以
V
α
u
=
V
D
D
−
R
D
1
2
μ
n
C
o
x
W
L
(
V
i
n
−
V
T
H
)
2
V_{\alpha u}=V_{DD}-R_{D} \frac{1}{2} \mu_{n} C_{o x} \frac{W}{L}\left(V_{i n}-V_{T H}\right)^{2}
Vαu=VDD−RD21μnCoxLW(Vin−VTH)2
如果 V G S = V I N V_{GS}=V_{IN} VGS=VIN继续增大,进入深度线性区,也就是深度饱和区
V out = V D D − R D 1 2 μ n C o x W L [ 2 ( V i n − V T H ) V o u t − V o u t 2 ] V_{\text {out }}=V_{\mathrm{DD}}-R_{\mathrm{D}} \frac{1}{2} \mu_{\mathrm{n}} C_{\mathrm{ox}} \frac{W}{L}\left[2\left(V_{\mathrm{in}}-V_{\mathrm{TH}}\right) V_{\mathrm{out}}-V_{\mathrm{out}}^{2}\right] Vout =VDD−RD21μnCoxLW[2(Vin−VTH)Vout−Vout2]
对 V i n V_{in} Vin求偏导
A v = ∂ V out ∂ V in = − R D μ n C ox W L ( V i n − V T H ) = − g m R D \begin{aligned} A_{v} &=\frac{\partial V_{\text {out }}}{\partial V_{\text {in }}} \\ &=-R_{\mathrm{D}} \mu_{\mathrm{n}} C_{\text {ox }} \frac{W}{L}\left(V_{\mathrm{in}}-V_{\mathrm{TH}}\right) \\ &=-g_{\mathrm{m}} R_{\mathrm{D}} \end{aligned} Av=∂Vin ∂Vout =−RDμnCox LW(Vin−VTH)=−gmRD
这就是共源放大的增益了
输入电压 引起漏极电流变化 跨导 变化的电流/变化的电压
共源放大,变化的漏极电流,引起变化的输出电压,增益,变化的输出电压/变化的输入电压
都是先得出输出的式子,在对输入变量做偏导
g
m
=
I
D
V
i
n
g_{m}=\frac{I_{D}}{V_{in}}
gm=VinID
A v = V o u t V i n A_{v}=\frac {V_{out}}{V_{in}} Av=VinVout
工作在饱和区的MOSFET可以看做电流源,P沟道,N沟道
最好用MOS管代替电阻 R D R_{D} RD
我们知道MOS工作在深度线性区 和饱和区,都可以看做一个电阻
而且 饱和区的
g
m
g_{m}
gm值等于深三极管区
R
o
n
R_{on}
Ron倒数
1、工作在饱和区
因为漏极和栅极电势相同,这MOS总是工作在饱和区
( 1 / g m ) ∥ r 0 ≈ 1 / g m \left(1 / g_{\mathrm{m}}\right) \| r_{0} \approx 1 / g_{\mathrm{m}} (1/gm)∥r0≈1/gm
如果存在体效应,
=
1
g
m
+
g
m
b
=\frac{1}{g_{m}+g_{mb}}
=gm+gmb1
增益等于
A
v
=
−
g
m
1
1
g
m
2
+
g
m
b
2
A_{v}=-g_{m 1} \frac{1}{g_{m 2}+g_{m b2}}
Av=−gm1gm2+gmb21
表明输入-输出特性呈线性,增益只与长宽比相关
V
o
u
t
=
V
D
=
V
D
D
−
I
D
R
D
V_{out}=V_{D}=VDD-I_{D}R_{D}
Vout=VD=VDD−IDRD
如果
R
D
R_{D}
RD太大,
V
o
u
t
V_{out}
Vout 输出摆幅会变小
2、工作在深度线性区
缺点在于
R
o
n
对
μ
n
C
o
x
,
V
b
和
V
THP
R_{on} \text { 对 }\mu_{n} C_{ox}, V_{b} \text { 和 } V_{\text {THP }}
Ron 对 μnCox,Vb 和 VTHP 依赖太严重。
源极负反馈技术
PMOS 耗尽型 模型参数
.model Mbreakp PMOS LEVEL=1 VTO=-0.5 GAMMA=0.5 PHI=0.8
+LD=0 WD=0 UO=460 LAMBDA=0.1 TOX=9.5E-9
+PB=0.9 CJ=0.57E-3
+CJSW=120E-12 MJ=0.5 MJSW=0.4
+CGDO=0.4E-9 JS=10E-9 CGBO=0.38E-9
+CGSO=0.4E-9
共源放大
时域输出波形
增益 11db -3db带宽43G
输出波形
PSPICE
mosfet level 1.2.3 默认参数
Mbreakn MbreakP
NMOS PMOS
LEVEL 3 3
L 100.000000E-06 100.000000E-06
W 100.000000E-06 100.000000E-06
VTO 0 0
KP 20.718860E-06 20.718860E-06
GAMMA 0 0
PHI .6 .6
LAMBDA 0 0
IS 10.000000E-15 10.000000E-15
JS 0 0
PB .8 .8
PBSW .8 .8
CJ 0 0
CJSW 0 0
CGSO 0 0
CGDO 0 0
CGBO 0 0
TOX 100.000000E-09 100.000000E-09
XJ 0 0
UCRIT 10.000000E+03 10.000000E+03
DIOMOD 1 1
VFB 0 0
LETA 0 0
WETA 0 0
U0 0 0
TEMP 0 0
VDD 5 5
XPART 0 0
mosfet level 7 默认参数
Mbreakn MbreakP
NMOS PMOS
LEVEL 7 7
L 100.000000E-06 100.000000E-06
W 100.000000E-06 100.000000E-06
VTO .7 -.7
KP 138.125800E-06 138.125800E-06
GAMMA 0 0
LAMBDA 0 0
IS 1.000000E-15 1.000000E-15
JS 100.000000E-06 100.000000E-06
PB 1 1
PBSW 1 1
CJ 500.000000E-06 500.000000E-06
CJSW 500.000000E-12 500.000000E-12
CGSO 207.188600E-12 207.188600E-12
CGDO 207.188600E-12 207.188600E-12
CGBO 0 0
TOX 15.000000E-09 15.000000E-09
XJ 150.000000E-09 150.000000E-09
UCRIT 10.000000E+03 10.000000E+03
DIOMOD 2 2
LETA 0 0
WETA 0 0
U0 .067 .025
XPART 0 0
UA 2.250000E-09 2.250000E-09
UB 587.000000E-21 587.000000E-21
UC -46.500000E-12 -46.500000E-12
VSAT 80.000000E+03 80.000000E+03
RDSW 0 0
VOFF -.08 -.08
A0 1 1
A1 0 0
A2 1 1
LDD 0 0
LITL 82.158380E-09 82.158380E-09
UA1 4.310000E-09 4.310000E-09
UB1 -7.610000E-18 -7.610000E-18
UC1 -56.000000E-12 -56.000000E-12
DSUB .56 .56
MOBMOD 1 1
PRWG 0 0
DLC 0 0
DWC 0 0
CF 72.989890E-12 72.989890E-12
NOIA 100.000000E+18 9.900000E+18
NOIB 50.000000E+03 2.400000E+03
NOIC -1.400000E-12 1.400000E-12
VTM .025864 .025864
VERSION 3.1 3.1
PBSWG 1 1
MJSWG .33 .33
CJSWG 500.000000E-12 500.000000E-12
参数可以在model editor 编辑修改。不修改使用默认值
参数对应的物理含义及对电路时域频域的影响