MOSFET

最新推荐文章于 2024-06-25 20:59:43 发布

大大U

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分类专栏： Pspice

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漏极电流，忽略长度调制效应。
$I_{D}=\frac{1}{2} \mu_{n} C_{o x} \frac{W}{L}\left(V_{G S}-V_{T H}\right)^{2}$
$V_{GS}-V_{TH}$ 被称为过驱动电压（ overdrive voltage）， $V_{ov}$

$\frac{W}{L}$ 称为长宽比
在这里插入图片描述

输入微弱电压信号 $V_{GS}$ ，导致微弱电流变化 $I_{D}$ ，的比例称为跨导
$g_{m}=\Delta I/\Delta V=$ $\left.\frac{\partial I_{{D}}}{\partial V_{\mathrm{GS}}}\right|_{V_{\mathrm{DS}\text { }}}$ $=\mu_{\mathrm{n}} C_{\mathrm{ox}} \frac{W}{L}\left(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}}\right)$

如果带入 $I_{D}$ 的式子， $I_{D}= \frac{1}{2}g_{m}\left(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}}\right)$

$g_{m}=\frac {2 I_{D}} {V_{\mathrm{GS}}-V_{TH}}$

饱和区的 $g_{m}$ 值等于深三极管区 $R_{on}$ 倒数

在这里插入图片描述
压控电流源

从某种意义上来讲， $g_{m}$ 代表了器件的灵敏度：对于一个大的 $g_{m}$ 来讲， $V_{GS}$ 的一个微小的改变将会引起 $I_{D}$ ，产生的很大的变化。

$g_{m}$ 很大，输入很小的电压就可以输出很大的电流，灵敏度很高。 $g_{m}$ 与什么有关呢，根据前面两个式子，与长宽比 $\frac{W}{L}$ ,过驱动电压 $V_{GS}-V_{TH}$ 有关
在这里插入图片描述

这一切都是在饱和区条件下，及 $V_{DS}>=V_{GS}-V_{TH}$

因为增益： $A_{v}=G=\Delta V_{out}/\Delta V_{in}=\frac{\partial V_{o u t}}{\partial V_{i n}}$
所以得把电流信号转换为电压信号，利用漏极电阻 $R_{D}$
$V_{D}=VDD-I_{D}R_{D}$
在这里插入图片描述

横轴 $V_{in}$ ，纵轴 $V_{out}$
$V_{TH}$ 是定值 $V_{in}$ 也就是 $V_{G}$ 从0开始，那么过驱动电压 $V_{GS}-V_{TH}$ 从负数到0，最后等于 $V_{DD}$ ，开始导通MOS管，
根据 $I_{D}$ 的公式，所以
$V_{\alpha u}=V_{DD}-R_{D} \frac{1}{2} \mu_{n} C_{o x} \frac{W}{L}\left(V_{i n}-V_{T H}\right)^{2}$

如果 $V_{GS}=V_{IN}$ 继续增大，进入深度线性区，也就是深度饱和区

$V_{\text {out }}=V_{\mathrm{DD}}-R_{\mathrm{D}} \frac{1}{2} \mu_{\mathrm{n}} C_{\mathrm{ox}} \frac{W}{L}\left[2\left(V_{\mathrm{in}}-V_{\mathrm{TH}}\right) V_{\mathrm{out}}-V_{\mathrm{out}}^{2}\right]$

对 $V_{in}$ 求偏导

$\begin{aligned} A_{v} &=\frac{\partial V_{\text {out }}}{\partial V_{\text {in }}} \\ &=-R_{\mathrm{D}} \mu_{\mathrm{n}} C_{\text {ox }} \frac{W}{L}\left(V_{\mathrm{in}}-V_{\mathrm{TH}}\right) \\ &=-g_{\mathrm{m}} R_{\mathrm{D}} \end{aligned}$

这就是共源放大的增益了

输入电压引起漏极电流变化跨导变化的电流/变化的电压
共源放大，变化的漏极电流，引起变化的输出电压，增益，变化的输出电压/变化的输入电压

都是先得出输出的式子，在对输入变量做偏导
$g_{m}=\frac{I_{D}}{V_{in}}$

$A_{v}=\frac {V_{out}}{V_{in}}$

工作在饱和区的MOSFET可以看做电流源，P沟道，N沟道
在这里插入图片描述

最好用MOS管代替电阻 $R_{D}$

我们知道MOS工作在深度线性区和饱和区，都可以看做一个电阻
而且饱和区的 $g_{m}$ 值等于深三极管区 $R_{on}$ 倒数

1、工作在饱和区
因为漏极和栅极电势相同，这MOS总是工作在饱和区
在这里插入图片描述

$\left(1 / g_{\mathrm{m}}\right) \| r_{0} \approx 1 / g_{\mathrm{m}}$

如果存在体效应，
$=\frac{1}{g_{m}+g_{mb}}$

在这里插入图片描述
增益等于
$A_{v}=-g_{m 1} \frac{1}{g_{m 2}+g_{m b2}}$

表明输入-输出特性呈线性,增益只与长宽比相关

$V_{out}=V_{D}=VDD-I_{D}R_{D}$
如果 $R_{D}$ 太大， $V_{out}$ 输出摆幅会变小

2、工作在深度线性区
在这里插入图片描述
缺点在于
$R_{on} \text { 对 }\mu_{n} C_{ox}, V_{b} \text { 和 } V_{\text {THP }}$ 依赖太严重。

源极负反馈技术
在这里插入图片描述

PMOS 耗尽型模型参数

.model Mbreakp PMOS LEVEL=1 VTO=-0.5 GAMMA=0.5 PHI=0.8
+LD=0 WD=0 UO=460 LAMBDA=0.1 TOX=9.5E-9
+PB=0.9 CJ=0.57E-3
+CJSW=120E-12 MJ=0.5 MJSW=0.4
+CGDO=0.4E-9 JS=10E-9 CGBO=0.38E-9
+CGSO=0.4E-9

共源放大
在这里插入图片描述

时域输出波形
在这里插入图片描述

增益 11db -3db带宽43G
在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

输出波形

PSPICE
mosfet level 1.2.3 默认参数

           Mbreakn         MbreakP         
           NMOS            PMOS            
   LEVEL    3               3            
       L  100.000000E-06  100.000000E-06 
       W  100.000000E-06  100.000000E-06 
     VTO    0               0            
      KP   20.718860E-06   20.718860E-06 
   GAMMA    0               0            
     PHI     .6              .6          
  LAMBDA    0               0            
      IS   10.000000E-15   10.000000E-15 
      JS    0               0            
      PB     .8              .8          
    PBSW     .8              .8          
      CJ    0               0            
    CJSW    0               0            
    CGSO    0               0            
    CGDO    0               0            
    CGBO    0               0            
     TOX  100.000000E-09  100.000000E-09 
      XJ    0               0            
   UCRIT   10.000000E+03   10.000000E+03 
  DIOMOD    1               1            
     VFB    0               0            
    LETA    0               0            
    WETA    0               0            
      U0    0               0            
    TEMP    0               0            
     VDD    5               5            
   XPART    0               0

mosfet level 7 默认参数

           Mbreakn         MbreakP         
           NMOS            PMOS            
   LEVEL    7               7            
       L  100.000000E-06  100.000000E-06 
       W  100.000000E-06  100.000000E-06 
     VTO     .7             -.7          
      KP  138.125800E-06  138.125800E-06 
   GAMMA    0               0            
  LAMBDA    0               0            
      IS    1.000000E-15    1.000000E-15 
      JS  100.000000E-06  100.000000E-06 
      PB    1               1            
    PBSW    1               1            
      CJ  500.000000E-06  500.000000E-06 
    CJSW  500.000000E-12  500.000000E-12 
    CGSO  207.188600E-12  207.188600E-12 
    CGDO  207.188600E-12  207.188600E-12 
    CGBO    0               0            
     TOX   15.000000E-09   15.000000E-09 
      XJ  150.000000E-09  150.000000E-09 
   UCRIT   10.000000E+03   10.000000E+03 
  DIOMOD    2               2            
    LETA    0               0            
    WETA    0               0            
      U0     .067            .025        
   XPART    0               0            
      UA    2.250000E-09    2.250000E-09 
      UB  587.000000E-21  587.000000E-21 
      UC  -46.500000E-12  -46.500000E-12 
    VSAT   80.000000E+03   80.000000E+03 
    RDSW    0               0            
    VOFF    -.08            -.08         
      A0    1               1            
      A1    0               0            
      A2    1               1            
     LDD    0               0            
    LITL   82.158380E-09   82.158380E-09 
     UA1    4.310000E-09    4.310000E-09 
     UB1   -7.610000E-18   -7.610000E-18 
     UC1  -56.000000E-12  -56.000000E-12 
    DSUB     .56             .56         
  MOBMOD    1               1            
    PRWG    0               0            
     DLC    0               0            
     DWC    0               0            
      CF   72.989890E-12   72.989890E-12 
    NOIA  100.000000E+18    9.900000E+18 
    NOIB   50.000000E+03    2.400000E+03 
    NOIC   -1.400000E-12    1.400000E-12 
     VTM     .025864         .025864     
 VERSION    3.1             3.1          
   PBSWG    1               1            
   MJSWG     .33             .33         
   CJSWG  500.000000E-12  500.000000E-12

参数可以在model editor 编辑修改。不修改使用默认值

参数对应的物理含义及对电路时域频域的影响