22nm 与 28nm 工艺的比较

22nm工艺相比28nm,提供了更低的功耗,更高的性能,20%的面积减小及10%的mask层数减少。尽管有20%的面积优势,但是否降低成本取决于晶圆价格。正负偏压技术可调整功耗和性能,但需额外IP支持。在工艺选择中,要考虑产品迭代和架构更新,如Intel的tick-tock模式。

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今天有朋友问我,22nm比28nm面积小多少。我说30%吧。他说,这么小?我说,30%都说多了。

注:以下资料来自公开信息,仅做一个与28nm大致的比较。

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22FDX工艺分一下几个flavor。

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与28nm相比,功耗更低,性能更强。还能通过正负偏压来进行功耗和性能的这种,但是采用偏压的话也不是没有成本。要有额外的IP来提供偏压所需的正负压。

With FinFETs relegated to the leading-edge-pure-digital niche, GF says FD-SOI provides the best path for cost-sensitive applications (which is everything else, right?!). Their pitch: 22FDX offers the industry’s lowest operating voltage (0.4 volt), enabling ultra-low dynamic power consumption, less thermal impact, and smaller end-product form-factors. Plus it delivers a 20 percent smaller die size and 10 percent fewer masks

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