《炬丰科技-半导体工艺》气相二氧化硅蚀刻和金属污染物去除

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：气相二氧化硅蚀刻和金属污染物去除
编号：JFKJ-21-1674
作者：华林科纳

引言

在高真空组合工具中研究了气相预栅极氧化物表面制备。用无水氟化氢蒸汽和甲醇蒸汽蚀刻二氧化硅。通过改变晶片温度、室压和气体流速，可以很好地控制氧化物蚀刻速率。已经实现了氧化物蚀刻速率的5%的标准误差。在60/分钟的氧化物蚀刻速率下，每125毫米晶片产生的颗粒少于10个。原子力显微镜测量显示没有增加硅表面的微观粗糙度，这归因于蒸气氟化氢(HF)蚀刻。

介绍

现代集成电路(IC)制造中最重要的工艺之一是预栅氧化晶片表面制备。事实表明，金属氧化物半导体(MOS)器件的性能取决于栅极氧化物生长之前的清洁工艺。然而，在传统制造工艺中，每次工艺完成后，晶圆会在洁净室中从一个工具转移到另一个工具，因此会面临再次污染的风险。对于一些关键的工艺顺序，例如栅极氧化物生长，应该在晶片清洗后立即生长氧化物，以减少氧化物缺陷并获得高的器件成品率。

为了实现无污染制造，集群是选项之一。组合工具允许单晶片处理，在此期间，晶片在真空下在处理模块之间转移，并且降低了再污染的风险。配备原位诊断，可以更好地控制过程稳定性。随着晶片尺寸越来越大，单晶片加工变得越来越有吸引力。与真空兼容的气相清洁工艺目前正受到越来越多的关注。在气相过程中，氧化物和其他表面污染物可能会通过活性气体和表面层/污染物之间的反应而被去除。气相处理也具有清洁较小特征的潜力，因为湿法处理受到溶液表面张力的限制。气相处理的另一个优点是与湿法分批处理相比减少了化学品消耗。因此，气相处理是环境友好的。

例如，表1总结了从我们的研究机构收集的数据。数据显示了一个月周期的预栅极氧化物清洗过程的平均值。可以看出，除了HF以外ÿ