一步清洁取代RCA两步清洁法用于Pre-Gate清洁

引言

随着器件尺寸缩小到深亚微米级，半导体制造中有效的湿法清洗工艺对于去除硅晶片表面上的残留污染物至关重要。GOI强烈依赖于氧化前的晶片清洁度，不同的污染物对器件可靠性有不同的影响，硅表面上的颗粒导致低击穿场和低产量，而有机污染物降低了氧化速率和氧化物质量。此外，金属污染将导致低击穿场和高结漏电流、增加的氧化物陷阱，这导致少数载流子寿命降低、阈值电压偏移以及由此导致的热载流子退化。本文研究了含有NH4OH和H2O2，和/或四甲基氢氧化铵(TMAH)和乙二胺四乙酸(EDTA)的一步清洗溶液对硅表面粗糙度和刻蚀速率的影响。讨论了TMAH溶液与硅表面的相互作用机理。此外，还分析了颗粒、有机物和金属杂质，以评估清洁效率。还评价了用这种新型清洗液清洗后栅氧化层的电特性

实验

洗溶液和电容器制造工艺。—所有高纯度使用的再制剂均为默克的电子级或更高级别。表一列出了不同碱清洗溶液的各种配方，通过测试找到了硅表面的清洁效率的最佳配方。清洗液中使用了三甲基氯化铵和乙二胺四乙酸。

图1描述了电容器的制造过程和清洁程序。金属氧化物半导体电容器是在一个4英寸的衬底上制作的。电阻率为14-21Ω·cm的diam(100)取向p型晶片。首先用标准的RCA两步清洗法清洗所有晶片。5000场氧化物在1050℃的高温气体中热生长