《炬丰科技-半导体工艺》HCL处理对多孔硅光电应用的影响

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：HCL处理对多孔硅光电应用的影响
编号：JFKJ-21-1693
作者：华林科纳

引言
本文采用电化学阳极氧化法在p型取向硅片上形成多孔结构。电化学蚀刻的多孔硅(PS)样品在设定的时间间隔内暴露于HCl溶液，导致该材料的稳定和增强的发光。扫描电子显微照片显示了伴随PS表面的HCl处理的深刻变化。通过几何方法使用SEM图像确定PS的孔隙率。有效介质近似方法揭示了折射率随着孔隙率的增加而减小。当样品阳极氧化时，电解液中含有HCl材料表面上Si-H基团的浓度有净下降。在光致发光研究中观察到在498 nm处的强可见发射峰，其相对于蚀刻参数的变化没有明显的偏移。

关键词:PS/HCl，SEM，孔隙率，折光率，FTIR，PL。
介绍
多孔硅(PS)由纳米级尺寸的硅线和空隙的网络组成，这些空隙是在恒定阳极氧化条件下在氢氟酸基电解质溶液中电化学蚀刻晶体硅晶片时形成的。孔隙率和厚度的精确控制允许定制多孔硅的光学性质，并为光电子技术中的大量应用打开了大门。
多孔硅由于其在可见光范围内的室温光致发光而引起了极大的关注。然而，关于多孔硅表面的光致发光有两种不同的假说。第一个包括量子限制效应，这是由于分隔孔壁的窄晶体硅壁中的电荷载流子，第二个是由于作为源光发射的内壁中捕获的发光表面物质的存在，第三个是由于表面限制的分子发射体即硅氧烷的存在。表面钝化的作用对于确定多孔层的辐射效率非常重要。多孔硅结构具有良好的机械强度、化学稳定性和与现有硅技术的兼容性，因此具有广泛的潜在应用领域，例如波导、1D光子晶体、化学传感器、生物传感器、光伏器件等。多孔硅的一些物理量如折射率、光致发光和电导率在暴露于化学物质时会发生剧烈变化。

本文对电化学阳极氧化纳米晶多孔硅层的合成和表征进行了研究。还研究了盐酸腐蚀后处理对多孔硅性能的影响。

结论