《炬丰科技-半导体工艺》氢氧化钾和TMAH中出现不同的凹陷轮廓的详细研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：氢氧化钾和TMAH中出现不同的凹陷轮廓的详细研究
编号：JFKJ-21-1695
作者：华林科纳

引言
在湿法各向异性蚀刻中，底切凸角的蚀刻轮廓取决于蚀刻剂的类型。已经进行了大量的研究来解释这种凸角底切并确定底切平面的方向。然而，还不清楚为什么不同蚀刻剂会出现不同形状的底切前沿。
此外，没有关于KOH和TMAH中底切凸角的不同形状的描述性解释。本文对Si{晶片表面的角底切进行了深入研究。对两种不同类型的蚀刻剂(KOH和TMAH)检查了底切行为。通过分析掩模图案上不同种类的凸角的蚀刻特性来进行研究。掩模设计中的一种类型的拐角由< 110 >方向形成，而其它类型的拐角也形成通过不同方向的交叉，形成底切凸角轮廓。此外，使用硅半球的蚀刻速率数据的等高线图清楚地解释了凸角处蚀刻剂相关的倾斜方向的出现。

关键词:凸凹角、微机电系统、矽、湿式非等向性蚀刻、氢氧化钾、三甲胺

介绍
硅湿法各向异性刻蚀广泛应用于体微机械加工以制造微结构，特别是对于微机电系统(MEMS)应用。氢氧化钾(KOH)和四甲基氢氧化铵(TMAH)是两种最广泛使用的各向异性蚀刻剂9,10]。两者各有利弊。KOH提供了非常高的R{100}/R{111}比，其中R是相应平面的蚀刻速率，但是它在Si和SiO2之间表现出非常差的选择性。此外，
它与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺不兼容。与KOH相反，TMAH与CMOS兼容，并且在Si和SiO2之间提供非常好的选择性，但是蚀刻速率比R{100}/R{111}低于KOH的蚀刻速率比9.
使用湿法各向异性蚀刻制造基于硅的MEMS部件经常涉及凸角和凹角。在蚀刻过程中，在凸角处发生严重的底切，而在凹角处不发生底切。由于凸角处的严重底切，具有尖锐凸角的微结构。