《炬丰科技-半导体工艺》氢氧化钾中硼硅酸盐玻璃的激光辅助蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：氢氧化钾中硼硅酸盐玻璃的激光辅助蚀刻
编号：JFKJ-21-1001
作者：炬丰科技

引言

择性激光辅助化学蚀刻是一种用于透明材料的体微加工技术。该技术使用强聚焦激光点将结构写入玻璃基板的体积中。这些结构随后从衬底上移除。与基于传统光刻的玻璃蚀刻工艺相比，这一概念的优势在于可以制造三维形状。作为光物质相互作用的结果，纳米光栅和/或纳米孔隙导致材料。可以通过随后的湿化学蚀刻来移除修改的体积。
本文提出了一种选择性刻蚀硼硅酸盐玻璃(SCHOTT Borofloat 33)的方法，用超短脉冲激光对玻璃进行改性，然后进行湿法化学刻蚀。BF33玻璃通常用于微技术，以生产传感器、演员和流控芯片，因为它可以通过阳极键合与硅片键合。

实验

激光诱导选择性化学蚀刻(SLE)的制造工艺基于两个主要的生产步骤。在第一步中，通过所施加的超短激光脉冲(图1(a))并且在第二步骤中，玻璃基板通过湿化学蚀刻。激光处理后，用氢氧化钾对玻璃基片进行湿化学蚀刻。氢氧化钾溶液的浓度为8.5±0.5摩尔/升，并被加热至80±3℃的温度。为了进行加热，使用了温度波动小于0.5℃的温控超声波浴。衬底和氢氧化钾溶液被封装在单独的容器中，该容器被放置在加热的水浴中。
激光加工系统的参数范围很大。为此，使用不同的脉冲重复率、脉冲持续时间、脉冲能量和写入速度将通孔写入500 m厚的玻璃基板。
对于通孔生成，将直径为300 m、垂直距离z为5 m的圆写入具有不同激光参数组合的玻璃中。用于生成圆的切片过程如图2所示。在写入序列之后，用氢氧化钾蚀刻衬底，并使用光学显微镜分析所得的孔。不同的蚀刻时间用于确定蚀刻速率。