单片晶圆清洗干燥性能评估

文章探讨了半导体行业中单晶片清洗工具的提升,特别是针对干燥过程的挑战。与传统的Marangoni干燥相比,单晶片干燥通过N2覆盖展现出了工艺窗口的优势,增强了表面稳定性。然而,这一领域仍存在干燥缺陷,需要更好的干燥技术来应对高纵横比和缩小技术带来的问题。单晶片干燥有望成为下一代设备的标准,但也带来新的技术挑战。
摘要由CSDN通过智能技术生成

介绍

单晶片清洗工具正在成为半导体行业取代批量工具的新标准。事实上,它们成功地提高了清洁性能(工艺均匀性、缺陷率、产量)和工业方面的考虑(周期时间、DIW 消耗、环境)。

尽管如此,单晶圆/批量工具竞赛尚未完成关键干燥。在单晶片工具上进行更好的清洁,但是面对传统的完善的 Marangoni 干燥,干燥呢?

本文讨论了干燥缺陷,以及HF最后一次清洁后的表面状态稳定性。最后,描述了单晶片干燥的预期好处。

结果与讨论

缩小技术和增加纵横比(STI、触点、通孔……)使表面干燥越来越具有挑战性。疏水表面最难正确干燥,因此本文的重点是:HF 最后处理的硅表面。

比较了三种干燥技术:湿台上的传统 Marangoni 与两种单晶片干燥方法(在干燥或简单旋转干燥期间 N2 分配覆盖晶片)。首先,我们讨论水印的形成和避免方法的一些考虑因素。最后,我们介绍单晶片干燥的缺点和优点。

结论

单晶片干燥是下一代设备的新挑战。Marangoni 干燥可以用 N2 覆盖的单个晶片代替:以 [O2] 控制为关键点的紧密工艺窗口,但增强了表面稳定性。

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