新型晶圆清洗

本文介绍了新型的全化学晶片清洗技术,研究它们是否可以提供更低的水和化学消耗的能力,能否提供每种技术的工艺应用、清洁机制、工艺效益以及考虑因素、环境、安全、健康(ESH)效益、技术状态和供应商信息的可用信息。

将晶片暴露于少量(约1克)无水三氧化硫气体中,然后自动转移到一个单独的室中,在那里用去离子水冲洗并甩干(见图1),三氧化硫室的条件要求温度通常低于100°C,且环境干燥,光致抗蚀剂在暴露于三氧化硫期间没有被去除,而是被化学改性,一旦磺化,抗蚀剂可溶于水,并在去离子水冲洗过程中被去除,该工具目前是单晶片单元,但可以扩展到批处理工具配置。

图1

三氧化硫技术将两个清洗步骤/工具合二为一,取代了灰化器和用于灰化后残留物清洗的湿工作台,一种工具的好处包括在大多数剥离应用中完全消除了等离子体,剥离离子注入光刻胶后减少了污染,减少了占地面积,降低了维护,减少了周期时间,并降低了成本。工艺开发的重点是可以集成到集群工具中的单晶片旋转处理器,晶片被安装在晶片旋转器的卡盘上,并被加速到预定的转速(1000到4000转/分),蚀刻化学物质被分配到旋转晶片的表面上大约1-3分钟,工艺温度为45至55℃,过程pH值接近中性,所以旋转蚀刻循环之后是短暂的去离子水旋转冲洗和旋干循环。

在下午0点35分和0点18分为150毫米晶圆准备了150毫米晶圆的氧化后蚀刻和金属蚀刻后测试结构,一组四个测试结构是在臭氧水清洗过程之前的氧等离子体棚,清洁前没有按压其他器械包,用HP 拍摄的截面扫描电子显微镜(SEM)照片提供了对新工艺清洁和腐蚀性能的初步评估,根据电子显微镜检查,在某种测试结构中没有金属腐蚀的迹象,过程温度低,接近中性酸盐,金属腐蚀可能性降低。

本文通过回顾新型清洗的挑战和工艺标准,并对一些新型的清洗技术进行了评述,必须找到具有成本效益的清洁技术,快速、安全、彻底地清除所有污染物,不会对金属、低k或高k材料造成损坏,并且会使用更少的水和化学物质。

 

  • 0
    点赞
  • 1
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 0
    评论

“相关推荐”对你有帮助么?

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值