兆声清洗晶片过程中去除力的分析

在半导体器件的制造过程中，兆声波已经被广泛用于从硅晶片上去除污染物颗粒。在这个过程中，平面硅片被浸入水基溶液中，并受到频率在600千赫-1兆赫范围内的声能束的作用。声波通常沿着平行于晶片/流体界面的方向传播。兆频超声波清洗领域的大部分工作都是针对寻找兆频超声波功率和磁场持续时间等条件来优化粒子去除。已知或相信在兆电子领域中有几个过程是有效的，即微空化、声流和压力诱导的化学效应。兆声波可以想象为以音速传播到流体中的压力变化。当声波通过固体颗粒时，该波中的压力梯度会对该颗粒施加作用力。

本文的主要目的是从理论上研究与二阶声场相关的现象，如声波流动，特别是兆频超声波清洗过程中颗粒去除的施里希廷流动。该理论研究由两部分组成，即计算固体/粘性流体界面处的时间相关(一阶)声位移场，然后计算时间无关(二阶)压力场。

在典型的兆频超声波清洗槽中，一次清洗几个晶片。晶片在盒子中彼此平行排列。兆声波传播通过的介质是不均匀的，因此可以简单地表示为由水基流体层分开的交替硅板组成的层状复合材料。因为晶片直径明显大于兆声波的波长，所以层状复合材料在这里被视为在平行于晶片/流体界面的方向上是无限的。

此外，为了简化模型，我们将固体介质视为各向同性的。在本文中，我们考虑两种多层几何形状。首先，我们研究了入射声波和由硅和水组成的两个半无限同质介质之间的单个界面之间的相互作用。这个系统将被称为硅/水系统。这个简单的界面用来建立计算二阶声场的数学过程。然后处理对应于浸入水中的一个晶片的更真实的几何形状。这个有两个平行界面的系统被模拟成一个固体硅板，将两个半无限的水介质分开。由于硅晶片的半径远远超过它的厚度，所以它被认为是无限长的。我们将该系统称为水/硅/水系统。

图1说明了本文研究的分层复合系统的类型。所有界面都选择为垂直于笛卡尔坐标系(X1，X2，X3)的X3轴。