《炬丰科技-半导体工艺》臭氧微泡清洗半导体晶片

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：臭氧微泡清洗半导体晶片
编号：JFHL-21-1061
作者：炬丰科技

引言

半导体的清洗在制造工序中也是非常重要的。特别是光刻胶的去除是最困难的，一般使用硫酸和过氧化氢混合的溶液(SPM)等。但是，这些废液的处理是极其困难的，与环境污染有很大的关系，因此希望引进环保的清洗技术。因此，作为环保的清洗技术之一，以蒸馏水、臭氧为基础，利用微气泡的清洗法受到关注。
因此，作为其基础性研究，本研究的目的是，通过使用普通气泡的臭氧气泡和臭氧微气泡，测量各种光刻胶的去除速度，评价微气泡的清洗效果。

实验

实验装置的概略为图1所示，实验装置是无金属制的加压溶解型。装置的机理是用泵吸入水槽的水，同时使其吸入气体。对其加压后，通过减压释放使其产生微气泡。试料中，使用了只涂有光刻胶的状态的半导体晶圆。尺寸约为30四方，厚度约为1.将试料浸入水槽内的液体中，通过臭氧微气泡进行光刻胶的去除。同时，作为比较对象也进行了臭氧气泡的去除。此时，供试液体为蒸馏水。水温分别为27.7～30.3℃，30.0～30.9℃，气泡源使用臭氧气体。微气泡的排出压力为0.4 kPa.臭氧流量为1L/min。

在清洗评价方法中，使用了能量分散型荧光X射线分析装置，通过分析向试料照射X射线产生的荧光X射线的能量，将光刻胶的除去量换算成除去速度。

结果和总结