对于使用溶解的臭氧在半导体清洗中的应用

引言

为了降低化学消耗和处置成本，以及提高清洁效率，在过去的十年中，臭氧已经被广泛作为一种可替代传统的硫酸-过氧化氢，以及使用碱性（SC-1）、酸性（SC-2）过氧化氢的RCA清洁混合物。

在芯片制造过程中，英思特通过对几种晶圆清洗技术的调查，突出了溶解臭氧相对于传统的硫酸-过氧化物方，以及使用SC-1和SC-2混合物的RCA清洗的优点。主要用于清洁晶圆；消除有机物、金属和颗粒；去除光刻胶；并对去离子水设施进行消毒。

实验与讨论

我们通过重复使用臭氧水和稀氟化氢方法的单晶片自旋清洗，在旋转晶圆上交替分配稀释的稀氢氟酸和臭氧水，该过程以稀氢氟酸冲洗或臭氧水冲洗结束，然后在氮气中旋转干燥。三次循环的过程可以去除87%的氧化铝颗粒，97%的氮化硅颗粒和99.5%的聚苯乙烯乳胶颗粒。

如图1所示我们将金属去除和干燥工艺结合到一个过程中，结合使用传统的SC-1清洁剂或表面活性剂的颗粒去除步骤，先进的清洁和干燥过程比经典的RCA过程少消耗高达60%的化学物质。

 图1：三步清洁和干燥清洗系统配置示意图

 图2：在硅晶片上进行三种清洁工艺后的典型残留金属表面浓度

单独的臭氧水不能有效地去除铁、镍、铝、镁和钙等金属，这些金属沉积在硅表面。根据它们的性质，这些金属可以被并入氧化物层或驻留在Si-SiO2界面上。它们可以去除离子交换器的酸，氢氟酸（HF）也可溶解氧化物达到去除金属的效果。图2显示了改良RCA清洁和碱性蚀刻后，<100>硅片上的典型金属污染水平。为了不显著增加晶体源颗粒的数量或尺寸，我们可以在不改变晶片表面颗粒数量的情况下进行金属去除/干燥步骤。

结论

随着晶圆结构复杂性的增加，晶片湿式清洗过程将继续在半导体制造中发挥重要作用。可靠的臭氧产生系统的发展，使臭氧成为传统的湿式清洗和光刻胶去除方法的一个有吸引力的替代方法。臭氧/水清洗工艺比RCA清洁技术更便宜，也更环保，臭氧可以在晶圆和集成电路制造过程中提供实际效益。