对于使用溶解的臭氧在半导体清洗中的应用

引言

为了降低化学消耗和处置成本，以及提高清洁效率，在过去的十年中，臭氧已经被广泛作为一种可替代传统的硫酸-过氧化氢，以及使用碱性（SC-1）、酸性（SC-2）过氧化氢的RCA清洁混合物。

在芯片制造过程中，英思特通过对几种晶圆清洗技术的调查，突出了溶解臭氧相对于传统的硫酸-过氧化物方，以及使用SC-1和SC-2混合物的RCA清洗的优点。主要用于清洁晶圆；消除有机物、金属和颗粒；去除光刻胶；并对去离子水设施进行消毒。

实验与讨论

我们通过重复使用臭氧水和稀氟化氢方法的单晶片自旋清洗，在旋转晶圆上交替分配稀释的稀氢氟酸和臭氧水，该过程以稀氢氟酸冲洗或臭氧水冲洗结束，然后在氮气中旋转干燥。三次循环的过程可以去除87%的氧化铝颗粒，97%的氮化硅颗粒和99.5%的聚苯乙烯乳胶颗粒。

如图1所示我们将金属去除和干燥工艺结合到一个过程中，结合使用传统的SC-1清洁剂或表面活性剂的颗粒去除步骤，先进的清洁和干燥过程比经典的RCA过程少消耗高达60%的化学物质。

 图1：三步清洁和干燥清洗系统配置示意图