臭氧辅助硅蚀刻的深度研分析

本文章提出了一种新的半导体超卤素深度分析方法，在通过臭氧氧化去除一些硅原子层，然后用氢氟酸蚀刻氧化物后，重复测量，然后确定了成分和表面电位的深度分布，因此这种分析技术提供了优于0.5纳米的深度分辨率，通过显示经反应离子蚀刻处理的p-Si（100）样品的成分谱结果，以及被1keVAr+轰击的n-Si（100）样品的表面电位谱数据，证明了该技术的适用性。

我们提出了一种新的硅切片方法，可以用来测量硅纳米地下区域的组成、结构和电学性能，该方法使用紫外(UV)臭氧氧化结合氢氟(HF)酸蚀刻，在每一步去除0.5nm的硅层，通过在每个去除步骤中插入RBS和XPS，得到深度分析，给出了该技术应用的两个例子，一个应用于反应离子蚀刻(RIE)后的p型Si（100）表面，另一个应用于1keVAr+离子轰击后的n-Si（100）表面。

氧化物厚度，SiO-Si界面突然的3HF蚀刻对去除氧化物有效，但对硅无效，紫外线照射不会在材料中引入任何结构缺陷，可以在不影响原始结构的情况下测量这些尺度内的结构性能。这种方法的一个优点是，在高频去除氧化层后，半导体表面被氢终止，氢抑制了在随后的空气暴露中的进一步氧化，虽然使用高频去除氧化层可能会引入氢相关缺陷，但这种缺陷预计不会改变近表面损伤结构，因为它们可以在中等温度下退火，事实上，高频钝化已经证明了在n-和p-Si上的平坦带表面的产生。

紫外臭氧氧化的处理方法如下：将通过去离子水浴的纯氧气体引入不锈钢反应室，在臭氧氧化前，用氧气净化室内5min，采用功率为75W的低压紫外灯启动臭氧氧化，每个氧化步骤持续20min&#x