《炬丰科技-半导体工艺》硅片表面颗粒去除湿法净化

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅片表面颗粒去除湿法净化

编号：JFKJ-21-165

作者：炬丰科技

摘要

  研究了在半导体制造中的湿清洁过程中使用酸和碱溶液从硅片表面去除颗粒。它有实验证明，碱性溶液优于酸性溶液对颗粒去除效率的影响。探讨了碱性溶液中颗粒的去除机理确认如下:解决方案蚀刻晶圆表面举起粒子，然后粒子被电排斥从晶圆片表面。 这是通过实验确定的需要0.25 nm/min或更多的刻蚀速率才能提升颗粒吸附在晶圆表面。腐蚀速率当混合比为0.05:1:5 (NH40H: H2O2: HzO)时，NH40H- hzoz - hz0溶液为0.3 nm/min。 这种混合比，晶圆片的表面光滑度保持在最初的水平。 因此，可以将NH40H- hzoz - hz0溶液中NH40H的含量降低到常规溶液的1 /20的水平。另外，已经证实，当pH值NH40H-Hz0z-Hz0溶液变高，聚苯乙烯乳液球体和天然有机粒子被它们氧化表面变成凝胶，结果表明，颗粒去除效率降低通过氧化有机粒子。有机物的氧化 NH40H-HzO2-Hz0溶液中NH40H含量高于0.1:1:s (pH大于9.1)时，颗粒显著增加。这些实验结果表明，混合比NH40H-HzO2-H20溶液应设为0.05:1:5。 这混合比例对保持两种颗粒的去除是有效的硅片的效率和表面光洁度。  

本文还讲述了实验的准备，过程，细节以及结果等