《炬丰科技-半导体工艺》硅三维结构的晶圆级集成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅三维结构的晶圆级集成

编号：JFKJ-21-237

作者：炬丰科技

摘要  

  硅纳米结构的晶片级集成是制备纳米器件的重要组成部分。金属辅助化学蚀刻是一种低成本、高容量的垂直排列硅纳米线制备技术。贵金属纳米颗粒用于局部刻蚀硅衬底。

介绍  

  硅纳米结构极大地提高了现代传感器、能量存储设备或能量采集器的性能，并已成为其发展的关键。这些结构可以是自顶向下过程中构造的定义良好的规则结构，也可以是自底向上过程中自组装的随机结构。  

结果与讨论  

晶圆级集成纳米结构模板的制备主要分为贵金属纳米粒子的制备和随后的硅湿法刻蚀两大部分。

 

硅蚀刻  

  在稀释的HF/H2O2溶液中蚀刻含有贵金属纳米颗粒和聚甲基丙烯酸甲酯图案的晶片10分钟。该过程是单晶浴过程，可以很容易地扩大到批量过程。