《炬丰科技-半导体工艺》湿法清洗过程中硅片表面颗粒的去除

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：湿法清洗过程中硅片表面颗粒的去除

编号：JFKJ-21-253

作者：炬丰科技

摘要

  研究了在半导体制造过程中使用的酸和碱溶液从硅片表面去除粒子。 结果表明，碱性溶液的颗粒去除效率优于酸性溶液。 在碱性溶液中，颗粒去除的机理已被证实如下:溶液腐蚀晶圆表面以剥离颗粒，然后颗粒被电排斥到晶圆表面。 实验结果表明，需要0.25 nm /min以上的刻蚀速率才能使吸附在晶圆表面的颗粒脱落。

介绍 

  由于半导体器件正在追求更高水平的集成度和更高分辨率的模式，ET清洁技术对于重新移动硅片表面的污染物仍然至关重要。 在1970年提出的RCA清洗工艺作为一种湿式清洗技术在世界各地仍在使用，以去除晶圆表面的污染物。 虽然RCA净化过程中，NH4OH-H2O2-H2O溶液对颗粒的去除效果非常好，但其颗粒去除机理尚不完全清楚。

实验  

  采用五英寸CZ(1,0,0)晶片进行粒子吸附实验。 天然氧化物首先在0.5%的HF溶液中从晶圆表面去除。 然后将晶片浸泡在含有颗粒的各种溶液中10分钟，然后冲洗和干燥。 天然氧化物在晶圆表面形成后，再在0.5%的HF溶液中移动，然后清洗和干燥。

结论  

  解释了碱性化学溶液+ H2O2去除硅片表面吸附颗粒的机理。 当对面的晶圆进行蚀刻时，吸附在晶圆表面的粒子首先被剥离。 然后，这些粒子被碱性溶液以电的方式从表面分离出来。