书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:干/湿蚀刻工艺
编号:JFKJ-21-194
作者:炬丰科技
•蚀刻过程的目的
描述蚀刻过程的相关术语
•湿式和干式蚀刻的区别和用途
•干蚀刻类型
•等离子体增强的优点
•用于纳米制造的新蚀刻方法
光刻过程
•光刻胶暴露在光线下的区域
•发展只会让这些区域开放
蚀刻去除基片区域未被屏蔽
•为功能使用创建结构
•去除功能下面的氧化层,允许运动
什么是蚀刻?
•纯硅反应性强,形成SiO2
•大块结构的模式和移除
•二氧化硅
•用作绝缘体或掺杂的硬涂层
腐蚀过程特性 略
蚀刻-湿的和干的 略
湿式蚀刻 略
实践问题 略