《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集八

一：《单晶硅片超精密磨削设备》

二：《表面清洁技术》

三：《反应等离子刻蚀设备》

四：《氮化镓化学气相沉积工艺》

五：《晶圆撕金去胶清洗装置》

六：《氮化镓蚀刻工艺》

七：《MOSFET的制造工艺》

八：《各向异性湿蚀刻演变历程》

九：《硅基GaN薄膜的外延生长》

十：《扩散和离子注入》

十一：《红外滤光片的作用》

十二：《先进封装技术的集成工艺》

十三：《LED湿法清洗设备CDS设计》

十四：《块状硅蚀刻工艺》

十五：《石英谐振器的原理》

十六：《薄膜硅太阳能电池制造工艺》

十七：《超纯化学试剂产品介绍》

十八：《宽禁带半导体缺陷》

十九：《Marangoni干燥机》

二十：《金属镍在晶片上的沉积工艺》

二十一：《旋转式晶圆自动干燥装置》

二十二：《超薄化合物衬底加工》

二十三：《蓝宝石晶棒制造工艺》

二十四：《硅器件制造技术工艺》

二十五：《离子溅射仪技术要求》

二十六：《掩模清洁策略》

二十七：《单晶生产工艺》

二十八：《微结构光刻胶涂覆工艺》

二十九：《拉晶过程的稳定性和伺服控制》

三十：《宽带隙和超宽带隙半导体蚀刻》