《炬丰科技-半导体工艺》Micro LED研究进展

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：Micro LED研究进展

编号：JFKJ-21-299

作者：炬丰科技

摘要

  基于近代显示技术的发展背景，对比传统的 LED 显示技术分析了 Micro LED 技术的发展潜力，总结出 Micro LED 所具有的显示技术优势; 从 Micro LED 发展进程与技术原理出发，系统阐述了目前存在的三大封装工艺特点 即 Micro LED 全彩化技术、巨量转移技术、微缩制程技术。

关键词: Micro LED 封装; 巨量转移; 微缩制程技术; Micro LED 全彩化

引言

  首次提出 Micro LED 技术理论，象征着 LED 光源走向了微显示时代。对比于传统 LED 屏幕显示技术、Mini LED、 OLED 等，Micro LED 拥有出色的亮度、发光效率高、 低能耗、反应速度高、对比度高、自发光、使用寿命长、 超高解析度与色彩饱和度等优势，且具备自发光和感测能力，是一项十分理想的显示技术。

Micro LED 的发展进程

Micro LED 的技术原理

 

Micro LED 封装技术

  继 COB 封装技术之后，Micro LED 封装技术的发 展给 LED 带来了新的芯片技术与挑战。Micro LED 的封装技术主要分为: Micro LED 全彩化技术，巨量 转移技术，微缩制程技术。

巨量转移   略

微缩制程