书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:臭氧在湿法加工中的先进作用
编号:JFKJ-21-341
作者:炬丰科技
氧化物膜的沉积
臭氧是在使用时产生的,可以很容易地转化为氧气 IMEC开发了一种晶片清洗工艺,与广泛使用的 RCA 清洗相比,显示出更好或当的性能 这种新的清洗工艺使臭氧成为可能溶于去离子水或纯水,无需使用硫酸或二氢氯酸,并显着减少 RCA 清洁的步骤数。
实现单晶片湿法清洁的渐进步骤
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:臭氧在湿法加工中的先进作用
编号:JFKJ-21-341
作者:炬丰科技
氧化物膜的沉积
臭氧是在使用时产生的,可以很容易地转化为氧气 IMEC开发了一种晶片清洗工艺,与广泛使用的 RCA 清洗相比,显示出更好或当的性能 这种新的清洗工艺使臭氧成为可能溶于去离子水或纯水,无需使用硫酸或二氢氯酸,并显着减少 RCA 清洁的步骤数。
实现单晶片湿法清洁的渐进步骤