半导体湿法中臭氧溶液去除有机/无机污染

本研究利用臭氧去离子水（DIO3）开发了拥有低成本的新型清洗工艺(氧化亚钴），臭氧浓度为40ppm，用于去除有机蜡膜和颗粒，仅经过商业除蜡处理后，蜡渣仍超过200A。

DIO3代替脱蜡剂在8000a左右对蜡有较多的去除率。

将脱蜡器与dio3结合，以减少脱蜡时间和SC-1步骤，DIO3冲洗后的蜡厚度小于50A，而去离子水冲洗后的膜厚度大于200A。用DIO3冲洗代替DI冲洗后，接触角较低，表面完全亲水。用DIO3处理过的表面的光学图像显示了更薄的蜡层，这表明不需要进一步的清洗步骤。将SC-1清洗步骤与DIO3冲洗工艺相结合，进一步提高了颗粒去除效率。

为了在短时间内去除蜡，将商用除蜡剂与dio3结合，新工艺的目标是减少脱蜡时间和SC-1步骤。在脱蜡机（1：40）中处理样品4min后，剩余蜡厚度随时间的变化，用dio3冲洗法处理膜后，即使在较短的处理时间内，膜的厚度也低于100a，脱蜡剂处理4分钟后，常规脱蜡和去离子水冲洗工艺后仍有厚度大于200A的蜡残留。另一方面，脱蜡过程后的dio3冲洗而不是去离子水冲洗的蜡含量小于50A。用dio3代替DI冲洗后，接触角降低，蜡残留较少，这表明没有进一步的清洗步骤来去除所需的蜡，冲洗后加入SC-1步骤，无论臭氧处理如何，接触角都完全亲水性。

为了确认包括SC-1清洗的几个步骤的PRE，使用200mmp型（100）进行PRE测试的最终抛光晶片，在清洗最终抛光的晶圆之前，浆液颗粒约为15万个，常规清洗工艺后，表面颗粒保持158。为了评价DIO3对颗粒去除效率(PRE)的影响，我们使用了200mm的p型（