《炬丰科技-半导体工艺》InP湿法化学蚀刻-去除氧化物

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：InP湿法化学蚀刻-去除氧化物

编号：JFKJ-21-483

作者：炬丰科技

摘要

  已经在 HCl 和 H2SO4 溶液中研究了 InP 及其天然氧化物的湿化学蚀刻，以创建无氧化物表面。(100) InP 表面未在 2 M HCl 和 6 M H2SO4 中蚀刻。由于这些浓度的 Vetch <0.1 nm/min，可以有效去除 OFOD 处理后的天然氧化物，而不会显着蚀刻表面，这通过接触角测量、椭圆光度法和 X 射线光电子能谱法证实。STM 和 AFM 测量表明，在 OFOD 处理和随后的氧化物去除后，由于原子平台的产生，可以获得非常光滑的表面。在 6 M H2SO4 中，这些阶地的大小可以增加到微米级。此外，表明在氧气存在下，n 型 InP 在湿法处理过程中被光刻/氧化。

介绍

  对于过去和现在的技术节点，集成电路中的晶体管是在硅衬底上制造的，在某些情况下，使用 SiGe 合金。为了满足缩放路线图的未来要求&#x