《炬丰科技-半导体工艺》单晶硅清洗工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：单晶硅清洗工艺

编号：JFKJ-21-315

作者：炬丰科技

摘要

  提供了一种用于半导体晶片清洁操作的系统。清洁系统具有顶盖和底盖。顶盖密封在晶片的顶面接触环上，底盖密封在晶片的底面接触环上。晶片保持在顶盖和底盖之间。边缘清洁辊用于清洁晶片的边缘。驱动辊被配置为旋转晶片、顶盖和底盖。边缘清洁辊以第一速度旋转，驱动辊以第二速度旋转，以便于边缘清洁辊对晶片的边缘清洁。

 

1.发明领域

  本发明涉及半导体晶片清洁，更具体地，涉及用于更有效地清洁感兴趣的晶片表面并降低晶片清洁成本的技术。

2.相关技术的描述

  众所周知，在半导体芯片制造过程中，需要清洁晶片，其中已经执行了在晶片的表面、边缘、斜面和凹口上留下不需要的残留物的制造操作。这种制造操作的示例包括等离子蚀刻（例如，钨回蚀（WEB））和化学机械抛光（CMP）。在 CMP 中，晶片被放置在支架中，支架将晶片表面推向滚动传送带。该传送带使用由化学品和研磨材料组成的浆料进行抛光。不幸的是，这个过程往往会在晶片的表面、边缘、斜面和凹口处留下浆液颗粒和残留物的堆积。如果留在晶圆上进行后续制造操作，多余的残留材料和颗粒可能会导致，其中包括晶圆表面划痕等缺陷以及金属化特征之间的不适当相互作用。在某些情况下，此类缺陷可能会导致晶片上的器件无法运行。为了避免丢弃具有无法操作的装置的晶片的过度成本，因此有必要在留下不需要的残留物的制造操作之后充分而有效地清洁晶片。