《炬丰科技-半导体工艺》晶体硅太阳能电池应用的HF化学钝化研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：晶体硅太阳能电池应用的HF化学钝化研究
编号：JFKJ-21-969
作者：炬丰科技

引言

最近，作为替代能源，太阳能电池在世界范围内受到很大的管道种植。太阳能电池是将太阳能转换为电能的无污染和半永久性装置，其发展性备受期待。在多种太阳能电池中，晶体硅太阳能电池占整个太阳能电池市场的80%以上，正处于太阳产业的核心。据预测，这种晶体硅太阳能电池的产业发展战将持续一段时间。可以说，太阳能电池产业最重要的是提高效率，降低制造单价。为了减少光的表面反射损失，形成了表面组织和防反射膜，形成了防止太阳电池背面电子-专业对团聚损失的背面电场，提高了短波长区域光能的吸收率。
在表面钝化的情况下，减少晶体硅片表面的dangling bonds等引起的电子-专业对团聚。在HF处理引起化学钝化的情况下，由于晶圆表面的dangling bonds等键的氢种团，期待钝化效果。Si3N4膜由于最小的氢(hydrogen)减少了dangling bonds等缺陷、固定电荷(fixed positive charge)的电场效应减少了团聚等原因，正被用作或正在研究太阳能电池前/后的钝化膜。本文采用光引起的矿化度carrier lifetime测量方法，考察了N型硅片的化学HF(以下简称HF)处理效果。

实验

表1显示了本研究中的实验方法。样品采用4等分法使用了无电阻3-5ωCM、厚度500-550 m的N型(100) 4inch单晶硅基板。样品的基本清洗采用了RCA清洗工艺。为了进行HF处理，H2O使用了DHF(DHF)，DHF以一定比例稀释。在室温下处理HF，根据HF处理时间测量样品的lifetime，HF处理的样品暴露在空气中后，确认了lifetime随暴露时间的变化。确认了HF处理后离子以不存