《炬丰科技-半导体工艺》不同氮化镓蚀刻技术的比较

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：不同氮化镓蚀刻技术的比较

编号：JFKJ-21-634

作者：炬丰科技

关键词:氮化镓，氮化物，二元蚀刻，轮廓仪，原子力显微镜

摘要

   综述并比较了几种氮化镓刻蚀技术。本实验选用氮化镓二元刻蚀技术，用德克轮廓仪和原子力显微镜测量刻蚀后的氮化镓轮廓。二元刻蚀技术采用了本征氮化镓、n型氮化镓和p型氮化镓三种氮化镓薄膜。实验结果表明，在室温和较高温度下，二元刻蚀都可以用于氮化镓湿法刻蚀，具有良好的控制和精度。

介绍

   氮化镓作为一种宽带隙的ⅲ-ⅴ族