《炬丰科技-半导体工艺》晶圆清洗机制

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：晶圆清洗机制

编号：JFKJ-21-336

作者：炬丰科技

摘要

  提供了与清洗晶片的机构相关的实施例，提供了一种清洗晶片的方法，其具有湿式台架清洗操作，该方法还提供其后的单个晶片清洗，以及用于提高该方法的性能的清洗设备。

发明描述

技术领域

本发明涉及用于晶片清洁的机构。

  半导体集成电路 (IC) 行业经历了快速增长。IC 材料和设计的技术进步催生了一代 IC，每个 IC 的电路都比上一代 IC 更小、更复杂。但是，这些技术进步增加了加工和制造的复杂性，而要实现这些进步，需要在 IC 加工和制造方面进行类似的发展。在 IC 演进过程中，功能密度（即每芯片面积的互连器件数量）已普遍增加和几何尺寸（即，可以使用制造工艺生产的最小部件（或线））一直在减小。这种按比例缩小的工艺通常受益于提高生产效率和降低相关成本。提供它们。

需要解决的问题

  半导体制造中的一个重要条件是晶圆加工表面没有污染物，因为污染物，例如细颗粒，会干扰后续加工步骤并对它们产生不利影响并导致器件退化，最终导致半导体晶圆处理。清洗工艺一直是半导体晶圆制造过程中的重要步骤，但超洁净晶圆对于器件完整性的重要性越来越高，例如，随着半导体特征尺寸的减小，颗粒污染的不利影响是随着它的增加，去除更小的颗粒变得必要。此外，随着器件层数的增加，颗粒污染导致器件退化的可能性和清洁步骤的数量也相应增加。ULSI和VLSI足以满足超清洁晶圆的要求在，晶片表面需要基本上没有污染物。

发明详述

  下面 对本发明实施例的实施和使用进行了详细描述，但是，本发明实施例是在广泛的特定环境中描述的，在特定环境中描述的具体实施例仅用于说明本发明，并限制了本发明的范围目前的披露。