本文介绍了半导体晶圆的清洗方法，包括使用清洁装置和预处理流程，确保晶圆表面的洁净。化学机械抛光(CMP)技术在平面化半导体晶圆上起到关键作用，该技术通过抛光液和抛光垫的机械和化学作用实现晶圆表面的平坦化。文章探讨了CMP过程中晶圆清洗的重要性。
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：清洗半导体晶片的方法
编号：JFKJ-21-288
作者：炬丰科技
摘要
一种晶圆清洗方法包括:(1)提供晶圆一种清洁装置，包括用于擦洗苏尔的海绵待清洁半导体晶圆的表面。（2)实施预处理流程，对海绵使用进行预处理一个假晶片，(3)进行定期清洗流向。
清洗注意点 略
半导体晶片的清洗方法
化学机械抛光(CMP)技术已被广泛应用于平面化半导体晶圆上的材料层。 化学机械抛光时，将抛光液滴在抛光液上抛光垫的表面。 抛光表面与晶圆产生的结合对晶圆片表面的机械和化学影响。这个过程在晶圆片上创造了一个高度平坦的表面。
发明内容 略
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