《炬丰科技-半导体工艺》单晶圆工具湿蚀刻时的光刻胶附着力

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：单晶圆工具湿蚀刻时的光刻胶附着力

编号：JFKJ-21-408

作者：炬丰科技

关键词： 双栅氧化层、光刻胶剥离、单晶片工具、底漆

介绍

  在同一个芯片上集成多个栅极氧化物需要正确定义它们各自的有源区域（图 1）。首先生长厚栅氧化层，并用一些光刻胶覆盖。然后湿法蚀刻去除已形成抗蚀剂的芯片区域上的这种氧化物。最后，在抗蚀剂剥离和表面清洁之后，生长薄的栅极氧化物。厚氧化物表面、抗蚀剂和蚀刻剂之间的相互作用使得湿蚀刻具有挑战性。本文介绍了一些特征和解决方案，以改进此过程。

实验性的

  此处介绍的所有测量和方法均基于在最先进的 300mm Crolles 2 工厂中获得的 CMOS 45nm 技术。在 FC3000 浸没系统或 SU3000 Dainippon Screen 单晶片平台中，已将各种深 UV 抗蚀剂与湿法蚀刻结合使用。

结果与讨论

  单晶圆清洗工具降低了对多晶硅凸点缺陷的敏感性 。图 2 显示了在 KLA surfscan SP2 上监测的微小（> 35nm 尺寸）颗粒与产品晶片上的凸点缺陷量之间观察到的深度相关性。这些缺陷只有在用硫酸溶液清洗晶圆，然后进行氧化和多晶硅沉积时才会观察到 [2]。观察到的缺陷密度降低可能归因于新鲜化学品的使用和最短分配时间。尽管如此，在工业环境中，单晶片工具需要更苛刻的条件来保持对批处理系统的吞吐量竞争力。因此，可以收紧湿蚀刻工艺窗口。因此在此提出了各种解决方案。

结论

  在单个晶圆工具上执行的栅极氧化物清洁显着降低了缺陷率。但它们需要更严格的工艺条件，以收紧湿蚀刻工艺窗口，这通常会导致器件退化。已经讨论了许多解决方案，最有希望的是在打底工艺之前进行氧化物表面处理。