《炬丰科技-半导体工艺》单晶硅制造工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：单晶硅制造工艺

编号：JFKJ-21-553

作者：炬丰科技

摘要

   本文公开了一种在区域精炼操作中制造单晶硅芯的方法。在此过程中，在硅区精炼操作之前和期间，将包含氢气和如氩气的混合气引入或“净化”到区域精炼器的腔室中。在该气体混合物中选择的不超过5%的氢气体的体积，可以消除之前在蚀刻区精炼硅片后发现的硅漩涡。

技术描述

   这是一个标准程序元素硅的区域精炼：（1)在真空进行区域精炼操作(2）使用惰性气体，如氩气，取代区域精炼室的空气或其他气体开始区域精炼操作。采用上述方法的原因是熔融硅与区域精炼室内的氧发生不利反应，合成的区域精炼硅棒在其中具有明显的高氧含量。在区域精炼室内维护高真空条件有几个伴随的缺点，其中包括需要笨重和昂贵的真空设备