《炬丰科技-半导体工艺》GaN清洗程序分析

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN清洗程序分析

编号：JFKJ-21-725

作者：炬丰科技

摘要

    

众所周知，在器件制造过程中反复使用的RCA标准清洁1会导致硅的蚀刻。在一些工艺流程中，当制造具有薄膜的器件时，例如在绝缘体上硅技术中，这种蚀刻可能是重要的。我们显示，当在二氧化硅上的裸露硅层上涂覆10分钟时，25-30埃的硅被改良版的SC1清洗剂(1:8:64重量份的NH4OH、H2O2和H2O)蚀刻掉。

介绍

  制造业中使用了许多湿法化学清洗方案，其中最流行的是Kern在1965年开发的RCA标准清洗SC1。这种清洗的主要目的是从晶片表面去除颗粒和金属等杂质。RCA清洁旨在分两步完成。第一步，SC1清洁，它是氢氧化铵、氧化剂过氧化氢和水的含水混合物，混合比为1:1:5(80℃，10分钟)，已被用作颗粒去除清洁。在这个步骤中，硅发生氧化，随后氧化物溶解，这使得表面终止于大约6的化学氧化物。已经表明，为了良好的颗粒去除，有必要对表面进行轻微的蚀刻。SC2清洁是盐酸和相同氧化剂过氧化氢的混合物，用于去除表面的金属。

实验条件和结果

    为了检查SC1清洗对薄膜厚度的影响，对具有非常薄的硅薄膜(20-30埃)的SOI晶片进行标准清洗，并在清洗之前和清洗之后1小时内在相同的位置测量厚度。由于该过程以去除稀氢氟酸中的化学氧化物结束，硅表面是疏水的，氢终止，因此在硅薄膜厚度测量过程中，自然氧化物将< 5。在图1中。最终的硅膜厚度被绘制为初始厚度的函数，并且很明显，对于硅含量小于25的位置，所有的硅都被去除了。对于较厚的薄膜，最终厚度与初始厚度呈线性关系。

在所有情况下，标准清洁后立即进行1.5分钟的15:1 H2O:氢氟酸冲洗，以去除表面的任何氧化物。在硅被SC1腐蚀掉的晶片位置，高频处理去除了大约250埃的二氧化硅，相当于167埃/分钟。几乎立即被SC1耗尽硅的区域损失高达300埃的二氧化硅，这表明二氧化硅被SC1蚀刻.对于25℃以上的初始硅膜，掩埋氧化物从不暴露于氟化氢，二氧化硅损失的阶跃函数从250下降到零，如图3所示。

AES

    AES用于分析表面污染物，结果如图所示。4.清洗程序的效果体现在氧和碳峰的减少上。除了减少碳和氧峰，王水和(NH4)2S中的氯化氢分别向表面添加了氯和硫。湿化学清洗程序后每个表面上存在的表面元素的原子百分比由相对灵敏度因子计算。这些污染物可能有利于在氮化镓表面上形成金属接触，因为可以增强与金的结合并提高粘附力。此外，硫化剂、烯烃和卤素的使用已被证明能增强金、银、铂、钯和镍等金属对半导体表面的附着力。

比较HCl和(NH4)2S的AES表面扫描，发现在GaN表面使用HCl降低了O峰，添加了Cl，并且(NH4)2S的使用防止了表面的再氧化，添加了少量的S，并且减少了Cl污染物。这个结果进一步证实了使用的重要性。

为了进一步分析清洁后的表面，将镓氮比和均方根表面粗糙度绘制为清洁方法的函数，如图5所示。均方根表面粗糙度和表面污染物之间存在关系，从而影响镓氮比。生长的表面显示出非常高的表面粗糙度和镓氮比，最干净的表面显示出最低的表面粗糙度和镓氮比。因此，随着表面的清洁，表面粗糙度随着镓氮比的提高而降低，这意味着所使用的化学物质已经蚀刻氮化镓表面以去除污染物。

 

 

 

结论

     总之，用原子力显微镜和原子发射光谱法对不同溶液湿法化学清洗氮化镓的效果进行了表征。原子力显微镜结果表明，氮化镓表面粗糙度受表面清洗方法的影响。表面缺陷由不同的蚀刻化学物质表征，其中(NH4)2S产生无缺陷界面。原子发射光谱法显示污染物为碳和氧，使用含氯和硫的化合物，会在表面留下氯和硫。该结果提供了足够的关于去除表面污染物的信息；化学计量；表面粗糙度和化学蚀刻。使用(NH4)2S防止了表面的再氧化，并进一步从氮化镓表面去除了氯。氢氧化钾能有效去除表面的碳。表面的硫和氯的作用可以增强金属对氮化镓表面的附着力，从而提高器件质量。需要进一步的工作来发现不同的清洗程序对材料的光学特性和器件的电学特性的影响。