1、参数
1.1、Load Transient和Load Regulation的区别
以TI TPS6281x-Q1 datasheet为例,Iout从0.4A变化到3.6A。
- Load Transient:看测试图可以得到,3x50=150mv
- Load Regulation:l理论值(3.6-0.4)x0.05%x3.3x1000=5.28mv,图中测量值比理论值要大一些
2.2、Dead time死区时间
2.2.1、为什么需要死区时间
Dead-time control prevents shoot-through current from flowing through the main power FETs during switching transitions by controlling the turnon times of the MOSFET drivers. The high-side driver is not allowed to turn on until the gate drive voltage to the low-side FET is low, and the low-side driver is not allowed to turn on until the voltage at the junction of the power FETs (Vdrain) is low; the TTL-compatible DT terminal connects to the junction of the power FETs.
2.2.2、典型的死区时间
2.2.3、死区对开关节点LX输出的影响
2、可能碰到的问题
2.1、大小波
所谓的大小波,就是MOS管驱动波形,1个周期是大的占空比(正常的)),下一个周期是一个很小的占空比,然后再下一个周期是一个大的占空比,下一个周期又是一个小的,如此循环。
产生大小可能的原因是增益裕量不足,TI教程中推荐的增益裕量>10dB,相位裕量>60°(一般要求45°)。
3、芯片Internal DCDC
3.1、Floorplan
芯片内部的DCDC为了节省面积,输出功率管的Power、GND和输出级这三个Pad是做在功率管上面的,如下图中所示,因layout限制可能是错位摆放的。