《炬丰科技-半导体工艺》湿化学清洗过程中晶片污染控制方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：湿化学清洗过程中晶片污染控制方法
编号：JFKJ-21-763
作者：炬丰科技

摘要
本文讨论并演示了痕量污染物分析仪的功能。该分析工具利用电喷雾飞行时间质谱仪对晶圆清洗溶液进行全自动在线监测。该分析仪通过其在正负模式下提供强(元素)和弱(分子)电离的能力，提供了关于金属、阴离子、阳离子、元素和有机物质的丰富信息。它旨在满足晶圆制造中日益复杂的新化学工艺的半导体工艺控制和产量管理需求。

介绍
亚微米器件技术对晶片清洗过程中可能存在的化学杂质高度敏感。金属污染是集成电路器件性能下降的主要原因，包括pn结泄漏增加、栅氧化层击穿电压下降和载流子寿命缩短。随着关键器件几何尺寸持续缩小至0.13 m以下，将湿化学清洗槽中的污染物严格控制在ppt(万亿分之一)水平变得越来越必要。
我们宣布了一种新的过程质谱工具，旨在满足这种测量需求。本文介绍了首次痕量污染物测量结果。

TCA科技

TCA系统与洁净室完全兼容，在计算机控制下运行，包括样品提取和制备以及与标准工厂数据系统的接口。飞行时间质谱的基本性质类似于其他质谱仪，因为它利用电场和/或磁场按照质荷比(m/z)分离空间中的带电物质。飞行时间质谱的平均分辨率为2000米/米，目前配置为以正离子模式(阳离子)在18至230米/秒的质量范围内工作。TCA系统与洁净室完全兼容，在计算机控制下运行，包括样品提取和制备以及与标准工厂数据系统的接口。飞行时间质谱的基本性质类似于其他质谱仪，因为它利用电场和/或磁场按照质荷比(m/z)分离空间中的带电物质。飞行时间质谱的平均分辨率为2000米/米，目前配置为以正离子模式(阳离子)在18至230米/秒的质量范围内工作。

金属污染的TCA测量
图2显示了100 ppt水平解决方案的典型频谱。在该分析中，TCA在正“苛刻”电离模式下运行。由于飞行时间质谱的高质量分辨