《炬丰科技-半导体工艺》微细加工中的湿法化学处理原理

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：微细加工中的湿法化学处理原理
编号：JFKJ-21-754
作者：炬丰科技

摘要
集成器件制造的精细图案化工艺要求具有湿式化学加工中的表面清洁度、表面平滑度、完全均匀性和完全蚀刻线性等优点。在我们的工作中，基于对BHF和SO的化学反应机理的基础研究，确定了缓冲氟化氢(BHF：NH4F+HF+H2O)的改进化学组成。描述了基于化学反应机理和液体化学品性质研究的先进湿式化学加工，结合SiO2 BHF的图案化工艺。硅技术的湿化学工艺原理基于以下四个要素：主要反应的测定（蚀刻种类、BHF蚀刻产物的溶解度对蚀刻均匀性和线性、无固相分离的化学成分的稳定性，以及通过添加表面活性剂提高晶圆表面液体化学品的润湿性。

介绍
化学反应是渐进式ULSI加工的必要要求。特别是，由于器件集成的改进通常需要高纵横比接触和通过孔的精细图案，表面化学技术必须实现晶圆表面的完美光滑。酸性氟化铵溶液，被称为缓冲氟化氢(BHF)，是一种重要的化合物，因为它对硅化合物的反应性。它被广泛用作表面处理剂，如刻蚀，图案和清洁硅片表面。为了提高湿法蚀刻技术，必须提高BHF的化学活性和功能性能。本研究基于NH4FHFH20体系解离的光谱研究，从理论上考虑了BHF的化学成分。

硅技术中湿式化学加工的基本原理
优势反应（蚀刻）种
—从图中可以看出。Si02的蚀刻速率随着高频浓度的增加而增加，但它几乎与等效摩尔比线以上的NH4F浓度无关。另一方面，已经发现，Si02薄膜不是用NH4F溶液蚀刻，这是一种强电解质，即溶液中存在大量的f离子。这两个结果似乎表明，SiOz的优势蚀刻物种是HF；，而不是F-离子。NH4F溶液的电导率