《炬丰科技-半导体工艺》 退火的 Ni Al DUV LED p 电极

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：退火的 Ni Al DUV LED p 电极
编号：JFKJ-21-1166
作者：华林科纳

利用反射性镍/铝(Ni/Al)电极代替传统的镍/金(Ni/Au)，提高了277纳米波长深紫外(DUV)发光二极管（LEDs)的性能。目前正在寻找发射波长小于280nm的DUVled作为紧凑、环保的替代品，用于水/表面消毒和生物制剂检测。目前，能源效率和电力输出都较低，阻碍了这一发展。
与基于iii-氮化物半导体如氮化铝镓(AlGaN)的长波长led相比，许多效应导致其效率较低。迄今为止，最好的275nmLED达到了20%的外部量子效率(EQE)。在这种情况下，由于照明效率低，超过一半的电力损失了。反射型p电极可以使从设备的蓝宝石侧提取更多的光。由于蓝宝石是紫外透明的，而显然是不可避免的，因此明显的p-GaN接触层更受青睐吸收波长短于_{3.4eV带隙，对应于波长}365nm。通过电子束蒸发沉积镍/铝电极，然后进行快速热退火(RTA)。Ni和铝的厚度分别为5nm和300n。将Ni/Al应用于用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石上生长的AlGaN和DUV材料。采用钛/铝/镍金（钛/铝/Ni/Au）接触介质反应离子蚀刻暴露的n型层。
Ni/Al(或常规未退火的Ni/Au)在800°C退火1分钟后，沉积Ni/Aup型电极。DUV结构的p-接触层由100nmp-AlGaN和10nmp±GaN组成。最后一层的重掺杂改善了与Ni/Al电极的欧姆接触。最后的氮化镓层被设计为较薄的，因为它是高度吸收DUV辐射。并不认为这一层会危及透明度，因为它太薄了。
为了优化在277nm波长下的反射率和接触电阻，该团队进行了一系列的实验。通过将双面抛光蓝宝石上沉积，并在600°温度下快速热退火10分钟，优化了