《炬丰科技-半导体工艺》氮化物深紫外LED研究新进展

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：氮化物深紫外LED研究新进展

编号：JFKJ-21-306

作者：炬丰科技

摘要

  基于三族氮化物材料的紫外发光二极管在杀菌消毒、聚合物固化、生化探测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景, 近年来受到越来越多的关注和重视.在过去的十多年里, 氮化物 UV LED 取得了长足的进步, 发光波长 400–210 nm 之间的氮化物 UV LED 先后被研发出来。

关键词 AlN, GaN, AlGaN, 紫外发光二极管

UV LED 异质外延制备的衬底选择

  图 2 所示为 DUV LED 的典型外延结构, 对应可选 择的衬底主要有蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si) 等异质衬底以及GaN和AlN同质衬底. 表1列出了AlN 与不同衬底的晶格常数和热膨胀系数及失配度。

高 Al 组分氮化物材料的异质外延

  从图 2 中可以看出, DUV LED 的 n 型层、p 型层和核心有源区均为AlGaN材料, AlGaN材料的质量与 DUV LED 的发光效率密切相关.

AlGaN 外延的缓冲层与模板材料     略

AlN 及高 Al 组分 AlGa(In)N 外延技术    略

图3 (网络版彩图)NPSS 的制备方法

总结及展望

在过去的十年多中, 随着 AlN, AlGaN 材料外延技术的进步......