《炬丰科技-半导体工艺》硅片蚀刻及单片湿式蚀刻槽的设计

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅片蚀刻及单片湿式蚀刻槽的设计
编号：JFKJ-21-1345
作者：华林科纳

在本研究中，我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻，并演示了优化的工艺配方，使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤，我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计，作为一种很有前途的工艺发展。

KOH硅湿法蚀刻工艺
为了使用KOH对硅进行湿法蚀刻，需要硬掩模，一般情况下，硬面罩采用热处理氧化膜（Thermal oxide）、PECVD SiO2、Si3N4等绝缘膜或aluminum（Al）等金属膜，缺点是Al在去除过程中会产生污染热点，Si3N4作为硬掩膜与KOH反应较少，但后续湿法难以去除，对于氧化膜而言，PECVD沉积的氧化膜比热处理氧化膜在膜质内存在的氢组分多，因此蚀刻率约高2倍。 因此，本研究采用与硅的选择比良好且易于去除的热处理氧化膜作为硬掩膜。

利用上面的公式，在图2预测了硅烷和氧化膜在不同温度和浓度下的蚀刻率，如2所示。 硅在浓度为23wt%，氧化膜在浓度为37wt%时蚀刻率最高，在此基础上，考虑了硅和氧化膜的选择比，以形成最合理的条件，图3选择比在13%中最高，工艺温度设定在38℃，希望尽可能减少硬面罩氧化膜的反应。